半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2005年
z1期
45-48
,共4页
刘宇%王国裕%赵洪信%崔昭华
劉宇%王國裕%趙洪信%崔昭華
류우%왕국유%조홍신%최소화
图像传感器%填充因数%动态数字双采样%FPN
圖像傳感器%填充因數%動態數字雙採樣%FPN
도상전감기%전충인수%동태수자쌍채양%FPN
介绍了一种基于CHRT公司0.35 μm工艺而设计的CMOS图像传感器.该图像传感器采用APS像素结构,像素阵列256×256,包含有列放大器、阵列扫描、串行接口、控制逻辑和ADC等模块.该图像传感器采用动态数字双采样(DDDS)的新方法消除FPN噪音,并已经通过MPW采用CHRT 0.35 μm salicide 2P4M工艺流片.
介紹瞭一種基于CHRT公司0.35 μm工藝而設計的CMOS圖像傳感器.該圖像傳感器採用APS像素結構,像素陣列256×256,包含有列放大器、陣列掃描、串行接口、控製邏輯和ADC等模塊.該圖像傳感器採用動態數字雙採樣(DDDS)的新方法消除FPN譟音,併已經通過MPW採用CHRT 0.35 μm salicide 2P4M工藝流片.
개소료일충기우CHRT공사0.35 μm공예이설계적CMOS도상전감기.해도상전감기채용APS상소결구,상소진렬256×256,포함유렬방대기、진렬소묘、천행접구、공제라집화ADC등모괴.해도상전감기채용동태수자쌍채양(DDDS)적신방법소제FPN조음,병이경통과MPW채용CHRT 0.35 μm salicide 2P4M공예류편.
