压电与声光
壓電與聲光
압전여성광
PIEZOELECTRICS & ACOUSTOOPTICS
2011年
2期
299-301,319
,共4页
ZnO薄膜%退火温度%X线衍射(XRD)%X线光电子能谱(XPS)
ZnO薄膜%退火溫度%X線衍射(XRD)%X線光電子能譜(XPS)
ZnO박막%퇴화온도%X선연사(XRD)%X선광전자능보(XPS)
采用射频反应磁控溅射法在Si(111)基片上制备了高度c轴择优取向的ZnO薄膜,采用X线衍射(XRD)、X线光电子能谱(XPS)分析方法研究了退火对ZnO薄膜结构及缺陷的影响.结果表明,随着退火温度的上升,薄膜的择优取向及取向一致性更好,晶化程度增高,晶粒尺寸变大.退火使更多的Zn间隙原子回到晶格位置,并弥补薄膜中氧的不足,且高温退火易引起氧的解析,三者相互作用使晶面间距随着退火温度的上升而逐渐变小,压应力变大,ZnO中的O含量逐渐减少,Zn/O的原子比逐渐接近于1.
採用射頻反應磁控濺射法在Si(111)基片上製備瞭高度c軸擇優取嚮的ZnO薄膜,採用X線衍射(XRD)、X線光電子能譜(XPS)分析方法研究瞭退火對ZnO薄膜結構及缺陷的影響.結果錶明,隨著退火溫度的上升,薄膜的擇優取嚮及取嚮一緻性更好,晶化程度增高,晶粒呎吋變大.退火使更多的Zn間隙原子迴到晶格位置,併瀰補薄膜中氧的不足,且高溫退火易引起氧的解析,三者相互作用使晶麵間距隨著退火溫度的上升而逐漸變小,壓應力變大,ZnO中的O含量逐漸減少,Zn/O的原子比逐漸接近于1.
채용사빈반응자공천사법재Si(111)기편상제비료고도c축택우취향적ZnO박막,채용X선연사(XRD)、X선광전자능보(XPS)분석방법연구료퇴화대ZnO박막결구급결함적영향.결과표명,수착퇴화온도적상승,박막적택우취향급취향일치성경호,정화정도증고,정립척촌변대.퇴화사경다적Zn간극원자회도정격위치,병미보박막중양적불족,차고온퇴화역인기양적해석,삼자상호작용사정면간거수착퇴화온도적상승이축점변소,압응력변대,ZnO중적O함량축점감소,Zn/O적원자비축점접근우1.
