发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2012年
5期
525-528
,共4页
李再金%李特%芦鹏%曲轶%薄报学%刘国军%王立军
李再金%李特%蘆鵬%麯軼%薄報學%劉國軍%王立軍
리재금%리특%호붕%곡질%박보학%류국군%왕립군
半导体激光器%腔面%钝化
半導體激光器%腔麵%鈍化
반도체격광기%강면%둔화
研究了不同腔面钝化方法对980 nm渐变折射率波导结构InGaAs/AlGaAs半导体激光器输出激光功率的影响.将980 nm半导体激光器管芯前后腔面不蒸镀钝化膜与蒸镀Si钝化膜和蒸镀ZnSe钝化膜的方法进行了对比.结果表明,蒸镀ZnSe钝化膜比蒸镀Si钝化膜的半导体激光器输出光功率提高了11％,比不蒸镀钝化膜的半导体激光器输出激光功率提高了42％.不蒸镀钝化膜的半导体激光器的失效电流为4.1A,蒸镀Si钝化膜的半导体激光器的失效电流为5.1A,蒸镀ZnSe钝化膜的半导体激光器的失效电流为5.6A.对半导体激光器失效的原因进行了分析.在半导体激光器前后腔面蒸镀ZnSe钝化膜能有效地提高器件的输出光功率.
研究瞭不同腔麵鈍化方法對980 nm漸變摺射率波導結構InGaAs/AlGaAs半導體激光器輸齣激光功率的影響.將980 nm半導體激光器管芯前後腔麵不蒸鍍鈍化膜與蒸鍍Si鈍化膜和蒸鍍ZnSe鈍化膜的方法進行瞭對比.結果錶明,蒸鍍ZnSe鈍化膜比蒸鍍Si鈍化膜的半導體激光器輸齣光功率提高瞭11％,比不蒸鍍鈍化膜的半導體激光器輸齣激光功率提高瞭42％.不蒸鍍鈍化膜的半導體激光器的失效電流為4.1A,蒸鍍Si鈍化膜的半導體激光器的失效電流為5.1A,蒸鍍ZnSe鈍化膜的半導體激光器的失效電流為5.6A.對半導體激光器失效的原因進行瞭分析.在半導體激光器前後腔麵蒸鍍ZnSe鈍化膜能有效地提高器件的輸齣光功率.
연구료불동강면둔화방법대980 nm점변절사솔파도결구InGaAs/AlGaAs반도체격광기수출격광공솔적영향.장980 nm반도체격광기관심전후강면불증도둔화막여증도Si둔화막화증도ZnSe둔화막적방법진행료대비.결과표명,증도ZnSe둔화막비증도Si둔화막적반도체격광기수출광공솔제고료11％,비불증도둔화막적반도체격광기수출격광공솔제고료42％.불증도둔화막적반도체격광기적실효전류위4.1A,증도Si둔화막적반도체격광기적실효전류위5.1A,증도ZnSe둔화막적반도체격광기적실효전류위5.6A.대반도체격광기실효적원인진행료분석.재반도체격광기전후강면증도ZnSe둔화막능유효지제고기건적수출광공솔.
