固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2012年
3期
298-303
,共6页
杨法明%杨发顺%丁召%傅兴华%邓朝勇
楊法明%楊髮順%丁召%傅興華%鄧朝勇
양법명%양발순%정소%부흥화%산조용
纵向双扩散金属氧化物半导体%超结%电荷平衡%正向导通%反向击穿
縱嚮雙擴散金屬氧化物半導體%超結%電荷平衡%正嚮導通%反嚮擊穿
종향쌍확산금속양화물반도체%초결%전하평형%정향도통%반향격천
为改善高压功率VDMOS击穿电压和导通电阻之间的平方率关系,采用超结理论及其分析方法,结合电荷平衡理论,计算了超结VDMOS的理想结构参数,并利用仿真软件SILVACO对超结VDMOS的各个工艺参数(外延厚度,P柱掺杂剂量,阈值电压)进行了优化设计,对器件的正向导通特性和反向击穿特性进行了仿真分析.最终设计了一个击穿电压为815 V,比导通电阻为23 mΩ·cm2的超结VDMOS.
為改善高壓功率VDMOS擊穿電壓和導通電阻之間的平方率關繫,採用超結理論及其分析方法,結閤電荷平衡理論,計算瞭超結VDMOS的理想結構參數,併利用倣真軟件SILVACO對超結VDMOS的各箇工藝參數(外延厚度,P柱摻雜劑量,閾值電壓)進行瞭優化設計,對器件的正嚮導通特性和反嚮擊穿特性進行瞭倣真分析.最終設計瞭一箇擊穿電壓為815 V,比導通電阻為23 mΩ·cm2的超結VDMOS.
위개선고압공솔VDMOS격천전압화도통전조지간적평방솔관계,채용초결이론급기분석방법,결합전하평형이론,계산료초결VDMOS적이상결구삼수,병이용방진연건SILVACO대초결VDMOS적각개공예삼수(외연후도,P주참잡제량,역치전압)진행료우화설계,대기건적정향도통특성화반향격천특성진행료방진분석.최종설계료일개격천전압위815 V,비도통전조위23 mΩ·cm2적초결VDMOS.
