真空科学与技术学报
真空科學與技術學報
진공과학여기술학보
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY
2011年
3期
272-277
,共6页
射频磁控溅射%SiCN%C2H2%结构%阻挡性能
射頻磁控濺射%SiCN%C2H2%結構%阻擋性能
사빈자공천사%SiCN%C2H2%결구%조당성능
采用C2H2和N2作为反应气体、多晶Si作为靶材,利用射频磁控溅射系统沉积了SiCN薄膜.利用傅里叶红外光谱仪、X射线衍射仪、四探针测试仪等研究了C2H2流量对薄膜结构、介电常数以及阻挡性能的影响.结果表明,薄膜为非晶结构,1000℃退火下未出现结晶,稳定性很好;随着C2H2流量的增大,薄膜表面颗粒呈现增大趋势;C原子取代Si原子占据薄膜中的网络位置,薄膜形成了以C-N键为主的网络结构;制得的SiCN薄膜介电常数在4.2～5.8之间,C,N含量以及薄膜结构是影响介电性能的关键因素,高温使得Cu穿过薄膜中的缺陷与Si发生互扩散是薄膜阻挡性能失效的主要原因.
採用C2H2和N2作為反應氣體、多晶Si作為靶材,利用射頻磁控濺射繫統沉積瞭SiCN薄膜.利用傅裏葉紅外光譜儀、X射線衍射儀、四探針測試儀等研究瞭C2H2流量對薄膜結構、介電常數以及阻擋性能的影響.結果錶明,薄膜為非晶結構,1000℃退火下未齣現結晶,穩定性很好;隨著C2H2流量的增大,薄膜錶麵顆粒呈現增大趨勢;C原子取代Si原子佔據薄膜中的網絡位置,薄膜形成瞭以C-N鍵為主的網絡結構;製得的SiCN薄膜介電常數在4.2～5.8之間,C,N含量以及薄膜結構是影響介電性能的關鍵因素,高溫使得Cu穿過薄膜中的缺陷與Si髮生互擴散是薄膜阻擋性能失效的主要原因.
채용C2H2화N2작위반응기체、다정Si작위파재,이용사빈자공천사계통침적료SiCN박막.이용부리협홍외광보의、X사선연사의、사탐침측시의등연구료C2H2류량대박막결구、개전상수이급조당성능적영향.결과표명,박막위비정결구,1000℃퇴화하미출현결정,은정성흔호;수착C2H2류량적증대,박막표면과립정현증대추세;C원자취대Si원자점거박막중적망락위치,박막형성료이C-N건위주적망락결구;제득적SiCN박막개전상수재4.2～5.8지간,C,N함량이급박막결구시영향개전성능적관건인소,고온사득Cu천과박막중적결함여Si발생호확산시박막조당성능실효적주요원인.
