CAJ | 학술논문

基于密度泛函理论(DFT)和广义梯度近似(GC-A),对氧钝化条件下4H-SiC纳米团簇的电子结构和光学性质进行了研究.计算了不同直径的4H-SiC纳米球氧钝化后的能带结构、电子态密度和光学性质.团簇的尺度在0.4～0.9 nm之间,构建表面仅存在硅氧双键和表面仅存在碳氧双键的两种模型.研究表明硅氧双键和碳氧双键所引起的缺陷态位于原4H-SiC的价带和导带之间,并且缺陷态与价带顶的能量差随纳米团簇颗粒直径的增大而减小;缺陷态主要是由Si原子外层电子和氧原子外层电子轨道杂化引起的.同时,由于氧的存在.对碳化硅的结构产生一定的影响,这也是缺陷态形成的一个原因.另外,碳氧双键和硅氧双键钝化对4H-SiC纳米团簇的光学性质有着不同的影响.在表面仅存在C=O的情况下,4H-SiC纳米团簇表现出各向同性的性质.在表面仅存在Si=O的情况下,4H-SiC纳米团簇表现出各向异性的性质.
기우밀도범함이론(DFT)화엄의제도근사(GC-A),대양둔화조건하4H-SiC납미단족적전자결구화광학성질진행료연구.계산료불동직경적4H-SiC납미구양둔화후적능대결구、전자태밀도화광학성질.단족적척도재0.4～0.9 nm지간,구건표면부존재규양쌍건화표면부존재탄양쌍건적량충모형.연구표명규양쌍건화탄양쌍건소인기적결함태위우원4H-SiC적개대화도대지간,병차결함태여개대정적능량차수납미단족과립직경적증대이감소;결함태주요시유Si원자외층전자화양원자외층전자궤도잡화인기적.동시,유우양적존재.대탄화규적결구산생일정적영향,저야시결함태형성적일개원인.령외,탄양쌍건화규양쌍건둔화대4H-SiC납미단족적광학성질유착불동적영향.재표면부존재C=O적정황하,4H-SiC납미단족표현출각향동성적성질.재표면부존재Si=O적정황하,4H-SiC납미단족표현출각향이성적성질.