材料导报
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재료도보
MATERIALS REVIEW
2010年
z1期
89-90
,共2页
SiC%化学气相沉积%晶须
SiC%化學氣相沉積%晶鬚
SiC%화학기상침적%정수
采用化学气相沉积方法,以Ni薄膜为催化剂,CH4、SiH4为反应气体,H2为载气,成功地在Si基片上生长出β-SiC晶须.运用X射线衍射和扫描电子显微镜系统地研究了不同催化剂厚度对SiC晶须形貌、结构和化学成分的影响.
採用化學氣相沉積方法,以Ni薄膜為催化劑,CH4、SiH4為反應氣體,H2為載氣,成功地在Si基片上生長齣β-SiC晶鬚.運用X射線衍射和掃描電子顯微鏡繫統地研究瞭不同催化劑厚度對SiC晶鬚形貌、結構和化學成分的影響.
채용화학기상침적방법,이Ni박막위최화제,CH4、SiH4위반응기체,H2위재기,성공지재Si기편상생장출β-SiC정수.운용X사선연사화소묘전자현미경계통지연구료불동최화제후도대SiC정수형모、결구화화학성분적영향.
