半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2008年
12期
1084-1087
,共4页
索思卓%库黎明%黄军辉%葛钟%陈海滨%张国栋%盛方毓%阎志瑞
索思卓%庫黎明%黃軍輝%葛鐘%陳海濱%張國棟%盛方毓%閻誌瑞
색사탁%고려명%황군휘%갈종%진해빈%장국동%성방육%염지서
精抛光%抛光垫%化学机械抛光%haze
精拋光%拋光墊%化學機械拋光%haze
정포광%포광점%화학궤계포광%haze
抛光垫是化学机械抛光(CMP)过程中重要的消耗材料之一.由于抛光垫与Si片直接接触,所以抛光垫的物理特性会直接影响到所加工Si片品质的优劣.通过研究不同使用时间的抛光垫结构以及所抛光Si片表面haze值,发现抛光Si片表面haze值在抛光垫使用前期逐渐减小,中期稳定缓慢升高,后期快速升高.从理论上系统地对结果进行了分析,充分证实了在CMP过程中,保持抛光垫特性的稳定对Si片表面质量具有非常重要的意义.
拋光墊是化學機械拋光(CMP)過程中重要的消耗材料之一.由于拋光墊與Si片直接接觸,所以拋光墊的物理特性會直接影響到所加工Si片品質的優劣.通過研究不同使用時間的拋光墊結構以及所拋光Si片錶麵haze值,髮現拋光Si片錶麵haze值在拋光墊使用前期逐漸減小,中期穩定緩慢升高,後期快速升高.從理論上繫統地對結果進行瞭分析,充分證實瞭在CMP過程中,保持拋光墊特性的穩定對Si片錶麵質量具有非常重要的意義.
포광점시화학궤계포광(CMP)과정중중요적소모재료지일.유우포광점여Si편직접접촉,소이포광점적물리특성회직접영향도소가공Si편품질적우렬.통과연구불동사용시간적포광점결구이급소포광Si편표면haze치,발현포광Si편표면haze치재포광점사용전기축점감소,중기은정완만승고,후기쾌속승고.종이론상계통지대결과진행료분석,충분증실료재CMP과정중,보지포광점특성적은정대Si편표면질량구유비상중요적의의.
