半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2008年
2期
164-166
,共3页
二分频器%异质结双极晶体管%锁存器%D触发器%阻抗匹配
二分頻器%異質結雙極晶體管%鎖存器%D觸髮器%阻抗匹配
이분빈기%이질결쌍겁정체관%쇄존기%D촉발기%조항필배
采用D触发器进行分频,设计了基于主从D触发器的1:2分频器,该分频器主要由输入缓冲电路、分频器内核、输出缓冲电路和电流偏置电源四个模块组成.HBT工艺具有速度快、相位噪声低的优点,采用HBT工艺,成功地设计了输入频率范围为50 MHz～7 GHz的静态二分频器.测试结果表明,该分频器在输入频率为3.7 GHz,输入-20 dBm功率时,输出功率4 dBm;电源电压5 V,工作电流85 mA,芯片尺寸为0.85 mm×0.85 mm.
採用D觸髮器進行分頻,設計瞭基于主從D觸髮器的1:2分頻器,該分頻器主要由輸入緩遲電路、分頻器內覈、輸齣緩遲電路和電流偏置電源四箇模塊組成.HBT工藝具有速度快、相位譟聲低的優點,採用HBT工藝,成功地設計瞭輸入頻率範圍為50 MHz～7 GHz的靜態二分頻器.測試結果錶明,該分頻器在輸入頻率為3.7 GHz,輸入-20 dBm功率時,輸齣功率4 dBm;電源電壓5 V,工作電流85 mA,芯片呎吋為0.85 mm×0.85 mm.
채용D촉발기진행분빈,설계료기우주종D촉발기적1:2분빈기,해분빈기주요유수입완충전로、분빈기내핵、수출완충전로화전류편치전원사개모괴조성.HBT공예구유속도쾌、상위조성저적우점,채용HBT공예,성공지설계료수입빈솔범위위50 MHz～7 GHz적정태이분빈기.측시결과표명,해분빈기재수입빈솔위3.7 GHz,수입-20 dBm공솔시,수출공솔4 dBm;전원전압5 V,공작전류85 mA,심편척촌위0.85 mm×0.85 mm.
