稀有金属材料与工程
稀有金屬材料與工程
희유금속재료여공정
RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERNG
2007年
z3期
40-43
,共4页
裴素华%黄萍%张美娜%江玉清
裴素華%黃萍%張美娜%江玉清
배소화%황평%장미나%강옥청
Ga高斯函数分布%快速晶闸管%电学性能
Ga高斯函數分佈%快速晶閘管%電學性能
Ga고사함수분포%쾌속정갑관%전학성능
利用开管扩散方式,使Ga在Si中的浓度分布服从高斯函数形式,用于快速晶闸管的制造.由理论与实践得出:P1,P2区Ga的缓变分布及其与N1区低杂质浓度的匹配,有效保证了快速晶闸管较高的正反向耐压特性;器件结构参数设计与Ga分布的突出特点使磷在J3结处得到一个较大的注入比,同时Ga在短基区获得一个足够高的-σ,改善了器件的通态特性和di/dt耐量;使器件dV/dt耐量达到1000 V/μs.可见开管扩Ga是综合提高快速晶闸管器件电学性能及等级合格率的一种新途径.
利用開管擴散方式,使Ga在Si中的濃度分佈服從高斯函數形式,用于快速晶閘管的製造.由理論與實踐得齣:P1,P2區Ga的緩變分佈及其與N1區低雜質濃度的匹配,有效保證瞭快速晶閘管較高的正反嚮耐壓特性;器件結構參數設計與Ga分佈的突齣特點使燐在J3結處得到一箇較大的註入比,同時Ga在短基區穫得一箇足夠高的-σ,改善瞭器件的通態特性和di/dt耐量;使器件dV/dt耐量達到1000 V/μs.可見開管擴Ga是綜閤提高快速晶閘管器件電學性能及等級閤格率的一種新途徑.
이용개관확산방식,사Ga재Si중적농도분포복종고사함수형식,용우쾌속정갑관적제조.유이론여실천득출:P1,P2구Ga적완변분포급기여N1구저잡질농도적필배,유효보증료쾌속정갑관교고적정반향내압특성;기건결구삼수설계여Ga분포적돌출특점사린재J3결처득도일개교대적주입비,동시Ga재단기구획득일개족구고적-σ,개선료기건적통태특성화di/dt내량;사기건dV/dt내량체도1000 V/μs.가견개관확Ga시종합제고쾌속정갑관기건전학성능급등급합격솔적일충신도경.
