传感器与微系统
傳感器與微繫統
전감기여미계통
TRANSDUCER AND MICROSYSTEM TECHNOLOGY
2007年
11期
57-60,64
,共5页
冯春岳%肖龙%董永芬%李新建
馮春嶽%肖龍%董永芬%李新建
풍춘악%초룡%동영분%리신건
硅纳米孔柱阵列%WO3%WO3/Si-NPA%电容式湿敏元件
硅納米孔柱陣列%WO3%WO3/Si-NPA%電容式濕敏元件
규납미공주진렬%WO3%WO3/Si-NPA%전용식습민원건
制备了基于硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)的WO3/Si-NPA复合薄膜,并对其表面形貌进行了表征,研究了其电容湿度传感性能和基点电容的温度漂移.研究表明:WO3/Si-NPA继承了衬底Si-NPA规则的阵列结构的表面形貌特征,WO3的沉积形成了连续的WO3薄膜,WO3/Si-NPA是一种典型的纳米复合薄膜.室温下,WO3/Si-NPA的电容值随测试频率的增加而单调减小,但其灵敏度则在100 Hz时达到最大值.在此测试频率下,当环境的相对湿度从11% RH增加到95%RH时,元件的电容增量高达16 000%,显示WO3/Si-NPA对环境湿度有较高的灵敏度.同时,电容的湿度响应曲线显示出很好的线性.对其基点电容的温度稳定性研究表明:WO3/Si-NPA用作湿度传感的最佳工作温度区为15～50 ℃.
製備瞭基于硅納米孔柱陣列(Si-NPA)的WO3/Si-NPA複閤薄膜,併對其錶麵形貌進行瞭錶徵,研究瞭其電容濕度傳感性能和基點電容的溫度漂移.研究錶明:WO3/Si-NPA繼承瞭襯底Si-NPA規則的陣列結構的錶麵形貌特徵,WO3的沉積形成瞭連續的WO3薄膜,WO3/Si-NPA是一種典型的納米複閤薄膜.室溫下,WO3/Si-NPA的電容值隨測試頻率的增加而單調減小,但其靈敏度則在100 Hz時達到最大值.在此測試頻率下,噹環境的相對濕度從11% RH增加到95%RH時,元件的電容增量高達16 000%,顯示WO3/Si-NPA對環境濕度有較高的靈敏度.同時,電容的濕度響應麯線顯示齣很好的線性.對其基點電容的溫度穩定性研究錶明:WO3/Si-NPA用作濕度傳感的最佳工作溫度區為15～50 ℃.
제비료기우규납미공주진렬(Si-NPA)적WO3/Si-NPA복합박막,병대기표면형모진행료표정,연구료기전용습도전감성능화기점전용적온도표이.연구표명:WO3/Si-NPA계승료츤저Si-NPA규칙적진렬결구적표면형모특정,WO3적침적형성료련속적WO3박막,WO3/Si-NPA시일충전형적납미복합박막.실온하,WO3/Si-NPA적전용치수측시빈솔적증가이단조감소,단기령민도칙재100 Hz시체도최대치.재차측시빈솔하,당배경적상대습도종11% RH증가도95%RH시,원건적전용증량고체16 000%,현시WO3/Si-NPA대배경습도유교고적령민도.동시,전용적습도향응곡선현시출흔호적선성.대기기점전용적온도은정성연구표명:WO3/Si-NPA용작습도전감적최가공작온도구위15～50 ℃.
