光谱实验室
光譜實驗室
광보실험실
CHINESE JOURNAL OF SPECTROSCOPY LABORATORY
2007年
5期
768-772
,共5页
n-ZnxCo1-xO/p-Si%激光脉冲沉积(PLD)%电流-电压曲线
n-ZnxCo1-xO/p-Si%激光脈遲沉積(PLD)%電流-電壓麯線
n-ZnxCo1-xO/p-Si%격광맥충침적(PLD)%전류-전압곡선
用高功率脉冲激光轰击Zn1-xCoxO,得到锌、钴和氧的原子、分子和团簇等混合体,并在p型单晶Si表面反应生成n型Zn1-xCoxO.X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)研究表明,这层材料是结构致密均匀、呈c轴高度择优取向的薄膜,与p型Si材料形成n-Zn1-xCoxO/p-Si异质结.在Zn1-xCoxO中加入H,生成了Co-H-Co聚合体,异质结的势垒高度随着Co含量的增加而增加,同时深能级的Co-d轨道捕获作为浅施主的间隙H提供的电子,造成的体系n型半导体层的载流子浓度降低,电阻率提高,使得n-Zn1-xCoxO/p-Si异质结在6.5V时漏电流降致6×10-3 mA,反向击穿电压超过20V,电学性能得到显著改进.
用高功率脈遲激光轟擊Zn1-xCoxO,得到鋅、鈷和氧的原子、分子和糰簇等混閤體,併在p型單晶Si錶麵反應生成n型Zn1-xCoxO.X射線衍射(XRD)、原子力顯微鏡(AFM)研究錶明,這層材料是結構緻密均勻、呈c軸高度擇優取嚮的薄膜,與p型Si材料形成n-Zn1-xCoxO/p-Si異質結.在Zn1-xCoxO中加入H,生成瞭Co-H-Co聚閤體,異質結的勢壘高度隨著Co含量的增加而增加,同時深能級的Co-d軌道捕穫作為淺施主的間隙H提供的電子,造成的體繫n型半導體層的載流子濃度降低,電阻率提高,使得n-Zn1-xCoxO/p-Si異質結在6.5V時漏電流降緻6×10-3 mA,反嚮擊穿電壓超過20V,電學性能得到顯著改進.
용고공솔맥충격광굉격Zn1-xCoxO,득도자、고화양적원자、분자화단족등혼합체,병재p형단정Si표면반응생성n형Zn1-xCoxO.X사선연사(XRD)、원자력현미경(AFM)연구표명,저층재료시결구치밀균균、정c축고도택우취향적박막,여p형Si재료형성n-Zn1-xCoxO/p-Si이질결.재Zn1-xCoxO중가입H,생성료Co-H-Co취합체,이질결적세루고도수착Co함량적증가이증가,동시심능급적Co-d궤도포획작위천시주적간극H제공적전자,조성적체계n형반도체층적재류자농도강저,전조솔제고,사득n-Zn1-xCoxO/p-Si이질결재6.5V시루전류강치6×10-3 mA,반향격천전압초과20V,전학성능득도현저개진.
