半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
z1期
167-170
,共4页
金国芬%吴惠桢%梁军%劳燕锋%余萍%徐天宁
金國芬%吳惠楨%樑軍%勞燕鋒%餘萍%徐天寧
금국분%오혜정%량군%로연봉%여평%서천저
C-ZnMgO薄膜%MIS结构%介电常数%漏电性能
C-ZnMgO薄膜%MIS結構%介電常數%漏電性能
C-ZnMgO박막%MIS결구%개전상수%루전성능
在半导体硅衬底上沉积C-ZnMgO纳米薄膜,并做成金属-绝缘体-半导体(MIS)结构.通过测试MIS结构的C-V曲线,计算得到C-ZnMgO材料的介电常数为10.5±0.5,并获得了介电常数的频率响应:在1～8MHz的频率范围内,介电常数由10.5降到6.4.通过测试MIS结构的I-V特性曲线,对漏电流产生原因进行了讨论与分析.
在半導體硅襯底上沉積C-ZnMgO納米薄膜,併做成金屬-絕緣體-半導體(MIS)結構.通過測試MIS結構的C-V麯線,計算得到C-ZnMgO材料的介電常數為10.5±0.5,併穫得瞭介電常數的頻率響應:在1～8MHz的頻率範圍內,介電常數由10.5降到6.4.通過測試MIS結構的I-V特性麯線,對漏電流產生原因進行瞭討論與分析.
재반도체규츤저상침적C-ZnMgO납미박막,병주성금속-절연체-반도체(MIS)결구.통과측시MIS결구적C-V곡선,계산득도C-ZnMgO재료적개전상수위10.5±0.5,병획득료개전상수적빈솔향응:재1～8MHz적빈솔범위내,개전상수유10.5강도6.4.통과측시MIS결구적I-V특성곡선,대루전유산생원인진행료토론여분석.
