蓝宝石衬底上单晶InN薄膜的MOCVD生长
람보석츤저상단정InN박막적MOCVD생장
MOCVD Growth of InN Films on Sapphire Substrates
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2007年 z1期 260-262 ,共3页

    肖红领%王晓亮%杨翠柏%胡国新%冉军学%王翠梅%张小宾%李建平%李晋闽

    초홍령%왕효량%양취백%호국신%염군학%왕취매%장소빈%리건평%리진민

    氮化铟%MOCVD%半峰宽%迁移率 氮化銦%MOCVD%半峰寬%遷移率
    담화인%MOCVD%반봉관%천이솔
    采用非掺GaN为缓冲层,利用金属有机物气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上获得了晶体质量较好的InN单晶薄膜.用光学显微镜观察得到的InN薄膜,表面无铟滴生成.INN(0002)X射线双晶衍射摇摆曲线的半峰宽为9.18;原子力显微镜测得的表面平均粗糙度为18.618nm;Hall测量得到的InN薄膜的室温背景电子浓度为1.08×1019cm-3,相应的迁移率为696cm2/(V·s).
    채용비참GaN위완충층,이용금속유궤물기상침적(MOCVD)방법재람보석츤저상획득료정체질량교호적InN단정박막.용광학현미경관찰득도적InN박막,표면무인적생성.INN(0002)X사선쌍정연사요파곡선적반봉관위9.18;원자력현미경측득적표면평균조조도위18.618nm;Hall측량득도적InN박막적실온배경전자농도위1.08×1019cm-3,상응적천이솔위696cm2/(V·s).
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