半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
z1期
588-590
,共3页
刘文宝%孙苋%王小兰%张爽%刘宗顺%赵德刚%杨辉
劉文寶%孫莧%王小蘭%張爽%劉宗順%趙德剛%楊輝
류문보%손현%왕소란%장상%류종순%조덕강%양휘
GaN%MSM探测器%暗电流%光谱响应%陷阱模型
GaN%MSM探測器%暗電流%光譜響應%陷阱模型
GaN%MSM탐측기%암전류%광보향응%함정모형
采用MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长出非故意掺杂的GaN外延层,并在GaN层上制作Ni/Au肖特基电极形成金属-半导体-金属(MSM)结构的探测器.对探测器暗电流进行了测试分析,发现在大电压下老化以后暗电流减小,小电压下出现电流反向,经白光照射后能够恢复.光谱响应测量中发现带隙内368nm处有光电导性质的异常峰值响应,808nm的激光对其有明显的淬灭作用,并根据陷阱模型对这些现象做出了解释.
採用MOCVD方法在藍寶石襯底上生長齣非故意摻雜的GaN外延層,併在GaN層上製作Ni/Au肖特基電極形成金屬-半導體-金屬(MSM)結構的探測器.對探測器暗電流進行瞭測試分析,髮現在大電壓下老化以後暗電流減小,小電壓下齣現電流反嚮,經白光照射後能夠恢複.光譜響應測量中髮現帶隙內368nm處有光電導性質的異常峰值響應,808nm的激光對其有明顯的淬滅作用,併根據陷阱模型對這些現象做齣瞭解釋.
채용MOCVD방법재람보석츤저상생장출비고의참잡적GaN외연층,병재GaN층상제작Ni/Au초특기전겁형성금속-반도체-금속(MSM)결구적탐측기.대탐측기암전류진행료측시분석,발현재대전압하노화이후암전류감소,소전압하출현전류반향,경백광조사후능구회복.광보향응측량중발현대극내368nm처유광전도성질적이상봉치향응,808nm적격광대기유명현적쉬멸작용,병근거함정모형대저사현상주출료해석.
