半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
z1期
422-425
,共4页
AlGaN/GaN HFET%阈值电压%C-V曲线
AlGaN/GaN HFET%閾值電壓%C-V麯線
AlGaN/GaN HFET%역치전압%C-V곡선
利用AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(AlGaN/GaN HFET)栅结构的电容-电压(C-V)特性确定AlGaN/GaN HFET的阈值电压.通过对模拟计算得到的AlGaN/GaN HFET电流-电压(I-V)特性曲线与测试得到的AlGaN/GaN HFET曲线比较分析,证实了依据AlGaN/GaN HFET栅结构的C-V特性曲线的微分极值点确定阈值电压是一种切实可行的方法.
利用AlGaN/GaN異質結場效應晶體管(AlGaN/GaN HFET)柵結構的電容-電壓(C-V)特性確定AlGaN/GaN HFET的閾值電壓.通過對模擬計算得到的AlGaN/GaN HFET電流-電壓(I-V)特性麯線與測試得到的AlGaN/GaN HFET麯線比較分析,證實瞭依據AlGaN/GaN HFET柵結構的C-V特性麯線的微分極值點確定閾值電壓是一種切實可行的方法.
이용AlGaN/GaN이질결장효응정체관(AlGaN/GaN HFET)책결구적전용-전압(C-V)특성학정AlGaN/GaN HFET적역치전압.통과대모의계산득도적AlGaN/GaN HFET전류-전압(I-V)특성곡선여측시득도적AlGaN/GaN HFET곡선비교분석,증실료의거AlGaN/GaN HFET책결구적C-V특성곡선적미분겁치점학정역치전압시일충절실가행적방법.
