物理学报
物理學報
물이학보
2007年
10期
6003-6007
,共5页
张剑铭%邹德恕%徐晨%顾晓玲%沈光地
張劍銘%鄒德恕%徐晨%顧曉玲%瀋光地
장검명%추덕서%서신%고효령%침광지
GaN%发光二极管%电极结构%大功率
GaN%髮光二極管%電極結構%大功率
GaN%발광이겁관%전겁결구%대공솔
在台面结构的GaN基发光二极管(LED)里,电流要侧向传输,当尺寸与电流密度加大之后,由于n型GaN层和下限制层的横向电阻不能忽略,造成了横向电流分布不均匀.通过优化电极结构,以减小电流横向传输距离,制作出两种不同电极结构的大功率GaN基倒装LED.通过比较这两种不同电极结构的GaN基倒装大功率LED的电、光性能,发现在350 mA正向电流下,插指电极结构的倒装大功率GaN基LED的正向电压为3.35 V,比环形插指电极结构的倒装大功率GaN基LED高0.15 V.尽管环形插指电极结构GaN基LED的发光面积略小于插指电极结构GaN基LED,但在大电流下,环形插指电极结构倒装GaN基LED的光输出功率比插指电极结构的倒装大功率LED的光输出功率大.并且在大电流下,环形插指电极结构的倒装大功率LED光输出功率饱和速度慢,而插指电极结构的倒装大功率LED光输出功率饱和明显.这说明优化电极结构能提高电流扩展均匀性,减小焦耳热的产生,改善GaN基LED的性能.
在檯麵結構的GaN基髮光二極管(LED)裏,電流要側嚮傳輸,噹呎吋與電流密度加大之後,由于n型GaN層和下限製層的橫嚮電阻不能忽略,造成瞭橫嚮電流分佈不均勻.通過優化電極結構,以減小電流橫嚮傳輸距離,製作齣兩種不同電極結構的大功率GaN基倒裝LED.通過比較這兩種不同電極結構的GaN基倒裝大功率LED的電、光性能,髮現在350 mA正嚮電流下,插指電極結構的倒裝大功率GaN基LED的正嚮電壓為3.35 V,比環形插指電極結構的倒裝大功率GaN基LED高0.15 V.儘管環形插指電極結構GaN基LED的髮光麵積略小于插指電極結構GaN基LED,但在大電流下,環形插指電極結構倒裝GaN基LED的光輸齣功率比插指電極結構的倒裝大功率LED的光輸齣功率大.併且在大電流下,環形插指電極結構的倒裝大功率LED光輸齣功率飽和速度慢,而插指電極結構的倒裝大功率LED光輸齣功率飽和明顯.這說明優化電極結構能提高電流擴展均勻性,減小焦耳熱的產生,改善GaN基LED的性能.
재태면결구적GaN기발광이겁관(LED)리,전류요측향전수,당척촌여전류밀도가대지후,유우n형GaN층화하한제층적횡향전조불능홀략,조성료횡향전류분포불균균.통과우화전겁결구,이감소전류횡향전수거리,제작출량충불동전겁결구적대공솔GaN기도장LED.통과비교저량충불동전겁결구적GaN기도장대공솔LED적전、광성능,발현재350 mA정향전류하,삽지전겁결구적도장대공솔GaN기LED적정향전압위3.35 V,비배형삽지전겁결구적도장대공솔GaN기LED고0.15 V.진관배형삽지전겁결구GaN기LED적발광면적략소우삽지전겁결구GaN기LED,단재대전류하,배형삽지전겁결구도장GaN기LED적광수출공솔비삽지전겁결구적도장대공솔LED적광수출공솔대.병차재대전류하,배형삽지전겁결구적도장대공솔LED광수출공솔포화속도만,이삽지전겁결구적도장대공솔LED광수출공솔포화명현.저설명우화전겁결구능제고전류확전균균성,감소초이열적산생,개선GaN기LED적성능.
