电力电子技术
電力電子技術
전력전자기술
POWER ELECTRONICS
2007年
9期
108-110
,共3页
功率半导体器件%开关特性/电压过冲%串联谐振
功率半導體器件%開關特性/電壓過遲%串聯諧振
공솔반도체기건%개관특성/전압과충%천련해진
从功率半导体器件MOSFET和IGBT的工作环境出发,详细分析了器件的通态电压、电流及开关时刻,得出在合适的关断电流瞬时值下,不仅能实现功率器件的ZCS,还能实现ZVS和无电压过冲换流的结论.还分析了在不合适电流值下换流时,电压过冲的产生机理,并提出了一种彻底抑制电压过冲的方法.通过测试实验室样机所用的功率器件,验证了分析的正确性和该方法的有效性.
從功率半導體器件MOSFET和IGBT的工作環境齣髮,詳細分析瞭器件的通態電壓、電流及開關時刻,得齣在閤適的關斷電流瞬時值下,不僅能實現功率器件的ZCS,還能實現ZVS和無電壓過遲換流的結論.還分析瞭在不閤適電流值下換流時,電壓過遲的產生機理,併提齣瞭一種徹底抑製電壓過遲的方法.通過測試實驗室樣機所用的功率器件,驗證瞭分析的正確性和該方法的有效性.
종공솔반도체기건MOSFET화IGBT적공작배경출발,상세분석료기건적통태전압、전류급개관시각,득출재합괄적관단전류순시치하,불부능실현공솔기건적ZCS,환능실현ZVS화무전압과충환류적결론.환분석료재불합괄전류치하환류시,전압과충적산생궤리,병제출료일충철저억제전압과충적방법.통과측시실험실양궤소용적공솔기건,험증료분석적정학성화해방법적유효성.