核电子学与探测技术
覈電子學與探測技術
핵전자학여탐측기술
NUCLEAR ELECTRONICS & DETECTION TECHNOLOGY
2008年
2期
376-381
,共6页
梁琨%张海君%周地宝%杨茹%韩德俊%张录%宁宝俊
樑琨%張海君%週地寶%楊茹%韓德俊%張錄%寧寶俊
량곤%장해군%주지보%양여%한덕준%장록%저보준
瞬态特性%光晶体管%区熔硅%互阻放大器
瞬態特性%光晶體管%區鎔硅%互阻放大器
순태특성%광정체관%구용규%호조방대기
现有光晶体管具有噪声较低、增益较高(光信号强度适中时)等优点;但它同时也存在线性较差、光信号较弱时增益较低等缺点,限制了它的实际应用.本文报道了一种基于高纯区熔单晶硅和发射结-集电结接近穿通状态的具有高灵敏度、高线性度光晶体管的瞬态特性研究结果,采用负载电阻法和互阻放大器法分别测量响应时间对偏置电压和入射光功率的依赖关系.测量结果显示,器件的上升及下降时间明显依赖于入射光功率的变化,对偏置电压的依赖性较弱;416nW和1128nW入射光功率下大尺寸器件的响应时间分别在170μs和10μs量级,在416nW入射光功率下小尺寸器件的上升时间约为30μs,与理论计算结果具有较好的符合.
現有光晶體管具有譟聲較低、增益較高(光信號彊度適中時)等優點;但它同時也存在線性較差、光信號較弱時增益較低等缺點,限製瞭它的實際應用.本文報道瞭一種基于高純區鎔單晶硅和髮射結-集電結接近穿通狀態的具有高靈敏度、高線性度光晶體管的瞬態特性研究結果,採用負載電阻法和互阻放大器法分彆測量響應時間對偏置電壓和入射光功率的依賴關繫.測量結果顯示,器件的上升及下降時間明顯依賴于入射光功率的變化,對偏置電壓的依賴性較弱;416nW和1128nW入射光功率下大呎吋器件的響應時間分彆在170μs和10μs量級,在416nW入射光功率下小呎吋器件的上升時間約為30μs,與理論計算結果具有較好的符閤.
현유광정체관구유조성교저、증익교고(광신호강도괄중시)등우점;단타동시야존재선성교차、광신호교약시증익교저등결점,한제료타적실제응용.본문보도료일충기우고순구용단정규화발사결-집전결접근천통상태적구유고령민도、고선성도광정체관적순태특성연구결과,채용부재전조법화호조방대기법분별측량향응시간대편치전압화입사광공솔적의뢰관계.측량결과현시,기건적상승급하강시간명현의뢰우입사광공솔적변화,대편치전압적의뢰성교약;416nW화1128nW입사광공솔하대척촌기건적향응시간분별재170μs화10μs량급,재416nW입사광공솔하소척촌기건적상승시간약위30μs,여이론계산결과구유교호적부합.
