物理实验
物理實驗
물리실험
PHYSICS EXPERIMENTATION
2006年
6期
12-19
,共8页
ZnO%纳米ZnO%研究进展
ZnO%納米ZnO%研究進展
ZnO%납미ZnO%연구진전
ZnO是一种重要的直接宽带隙半导体,室温下禁带宽度为3.37 eV,激子束缚能为60 meV,对于开发蓝绿、蓝光、紫外等多种发光器件有巨大潜力.纳米ZnO表现出与体材料明显不同的电学、磁学、光学、化学等性质,是目前纳米材料的研究热点之一.本文介绍了ZnO和纳米ZnO的一些基本性质,综述了近年来纳米ZnO的合成以及应用等方面研究的一些进展.
ZnO是一種重要的直接寬帶隙半導體,室溫下禁帶寬度為3.37 eV,激子束縳能為60 meV,對于開髮藍綠、藍光、紫外等多種髮光器件有巨大潛力.納米ZnO錶現齣與體材料明顯不同的電學、磁學、光學、化學等性質,是目前納米材料的研究熱點之一.本文介紹瞭ZnO和納米ZnO的一些基本性質,綜述瞭近年來納米ZnO的閤成以及應用等方麵研究的一些進展.
ZnO시일충중요적직접관대극반도체,실온하금대관도위3.37 eV,격자속박능위60 meV,대우개발람록、람광、자외등다충발광기건유거대잠력.납미ZnO표현출여체재료명현불동적전학、자학、광학、화학등성질,시목전납미재료적연구열점지일.본문개소료ZnO화납미ZnO적일사기본성질,종술료근년래납미ZnO적합성이급응용등방면연구적일사진전.
