人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2010年
4期
878-882
,共5页
胡炜杰%赵有文%段满龙%王应利%王俊
鬍煒傑%趙有文%段滿龍%王應利%王俊
호위걸%조유문%단만룡%왕응리%왕준
InAs单晶%衬底%表面
InAs單晶%襯底%錶麵
InAs단정%츤저%표면
利用原子力显微镜(AFM)、X射线光电子能谱(XPS)和俄歇电子能谱(AES)分别研究了InAs单晶抛光片的表面形貌和化学构成.结果表明:机械化学抛光工艺条件和清洗腐蚀过程对InAs单晶抛光片表面的化学组分构成和表面粗糙度有很大的影响.通常情况下,InAs单晶抛光片的表面氧化层中含有In2O3、As2O5、As2O3及元素As,而随着As的挥发,使抛光片表面化学计量比明显富铟.通过适当的化学处理控制其表面的化学组分,减小了表面粗糙度,从而获得材料外延生长所要求的开盒即用InAs单晶衬底.
利用原子力顯微鏡(AFM)、X射線光電子能譜(XPS)和俄歇電子能譜(AES)分彆研究瞭InAs單晶拋光片的錶麵形貌和化學構成.結果錶明:機械化學拋光工藝條件和清洗腐蝕過程對InAs單晶拋光片錶麵的化學組分構成和錶麵粗糙度有很大的影響.通常情況下,InAs單晶拋光片的錶麵氧化層中含有In2O3、As2O5、As2O3及元素As,而隨著As的揮髮,使拋光片錶麵化學計量比明顯富銦.通過適噹的化學處理控製其錶麵的化學組分,減小瞭錶麵粗糙度,從而穫得材料外延生長所要求的開盒即用InAs單晶襯底.
이용원자력현미경(AFM)、X사선광전자능보(XPS)화아헐전자능보(AES)분별연구료InAs단정포광편적표면형모화화학구성.결과표명:궤계화학포광공예조건화청세부식과정대InAs단정포광편표면적화학조분구성화표면조조도유흔대적영향.통상정황하,InAs단정포광편적표면양화층중함유In2O3、As2O5、As2O3급원소As,이수착As적휘발,사포광편표면화학계량비명현부인.통과괄당적화학처리공제기표면적화학조분,감소료표면조조도,종이획득재료외연생장소요구적개합즉용InAs단정츤저.
