基于离子注入技术的ZnMnO半导体材料的制备及光谱表征
기우리자주입기술적ZnMnO반도체재료적제비급광보표정
Preparation of ZnMnO by ion implantation and its spectral characterization
  • 万方数据
    物理学报 물이학보

    2006年 4期 2073-2077 ,共5页

    钟红梅%陈效双%王金斌%夏长生%王少伟%李志锋%徐文兰%陆卫

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    ZnMnO%离子注入%Raman光谱%室温光致发光 ZnMnO%離子註入%Raman光譜%室溫光緻髮光
    ZnMnO%리자주입%Raman광보%실온광치발광
    通过离子注入技术制备了ZnMnO半导体材料,研究离子注入剂量与退火对材料光谱性质的影响.Raman光谱研究发现,575cm-1处声子模展宽是由高剂量Mn注入引起的缺陷所致,退火样品528cm-1振动模来自Mn相关的杂质振动.室温光致发光谱表明,退火对高剂量注入样品的可见发光带有增强作用.
    통과리자주입기술제비료ZnMnO반도체재료,연구리자주입제량여퇴화대재료광보성질적영향.Raman광보연구발현,575cm-1처성자모전관시유고제량Mn주입인기적결함소치,퇴화양품528cm-1진동모래자Mn상관적잡질진동.실온광치발광보표명,퇴화대고제량주입양품적가견발광대유증강작용.
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