半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2005年
3期
571-575
,共5页
舒雄文%徐晨%徐遵图%朱彦旭%沈光地
舒雄文%徐晨%徐遵圖%硃彥旭%瀋光地
서웅문%서신%서준도%주언욱%침광지
离子辅助镀膜(IAD)%阈值电流密度%微分量子效率
離子輔助鍍膜(IAD)%閾值電流密度%微分量子效率
리자보조도막(IAD)%역치전류밀도%미분양자효솔
用电子束蒸发离子辅助镀膜方法为808nm大功率半导体激光器镀制了SiO2/TiO2高反膜及SiO2或Al2O3减反膜,结果表明镀膜后激光器外微分量子效率明显提高(由0.7提高到1.24),而且可在一定范围内调节阈值电流密度,器件寿命也有很大提高.对这种方法所镀制的SiO2/TiO2膜用作808nm半导体激光器高反膜的可行性进行了分析和探讨,认为是一种可行的方法.
用電子束蒸髮離子輔助鍍膜方法為808nm大功率半導體激光器鍍製瞭SiO2/TiO2高反膜及SiO2或Al2O3減反膜,結果錶明鍍膜後激光器外微分量子效率明顯提高(由0.7提高到1.24),而且可在一定範圍內調節閾值電流密度,器件壽命也有很大提高.對這種方法所鍍製的SiO2/TiO2膜用作808nm半導體激光器高反膜的可行性進行瞭分析和探討,認為是一種可行的方法.
용전자속증발리자보조도막방법위808nm대공솔반도체격광기도제료SiO2/TiO2고반막급SiO2혹Al2O3감반막,결과표명도막후격광기외미분양자효솔명현제고(유0.7제고도1.24),이차가재일정범위내조절역치전류밀도,기건수명야유흔대제고.대저충방법소도제적SiO2/TiO2막용작808nm반도체격광기고반막적가행성진행료분석화탐토,인위시일충가행적방법.
