离子束溅射制备Si/Ge多层膜的结晶研究
리자속천사제비Si/Ge다층막적결정연구
Study on Crystallization of the Si/Ge Multilayer Films Prepared by Ion-beam Sputtering
  • 万方数据
    人工晶体学报 인공정체학보

    2005年 2期 288-291 ,共4页

    邓书康%陈刚%高立刚%陈亮%俞帆%刘焕林%杨宇

    산서강%진강%고립강%진량%유범%류환림%양우

    Si/Ge多层膜%离子束溅射%拉曼光谱 Si/Ge多層膜%離子束濺射%拉曼光譜
    Si/Ge다층막%리자속천사%랍만광보
    采用离子束溅射制备Si/Ge多层膜,通过X射线小角衍射计算其周期厚度及各子层的厚度,用Raman光谱对Si/Ge多层膜的微观结构及Si子层的结构进行表征.结果表明,所制备的Si/Ge多层膜中,当Ge子层的厚度为6.2nm时,Si子层的结晶质量较好,表明适量的Ge含量有诱导Si结晶的作用.
    채용리자속천사제비Si/Ge다층막,통과X사선소각연사계산기주기후도급각자층적후도,용Raman광보대Si/Ge다층막적미관결구급Si자층적결구진행표정.결과표명,소제비적Si/Ge다층막중,당Ge자층적후도위6.2nm시,Si자층적결정질량교호,표명괄량적Ge함량유유도Si결정적작용.
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