半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2003年
9期
933-936
,共4页
黎建明%屠海令%胡广勇%王超群%郑安生%钱嘉裕
黎建明%屠海令%鬍廣勇%王超群%鄭安生%錢嘉裕
려건명%도해령%호엄용%왕초군%정안생%전가유
GaAs%退火%小角晶界%三轴晶模式衍射
GaAs%退火%小角晶界%三軸晶模式衍射
GaAs%퇴화%소각정계%삼축정모식연사
用X射线衍射技术分析在高温退火过程中GaAs晶片和石墨接触区域的热应力对晶体缺陷的影响.结果表明:在高温退火条件下,GaAs晶体与石墨接触区域散热不均匀造成的热应力,致使该区域范性形变,从而产生高密度的位错.GaAs晶体中的刃型位错受热应力作用向垂直滑移面的平面移动,聚集后可形成小角晶界,从而导致GaAs晶体的晶格参数和取向均发生变化.
用X射線衍射技術分析在高溫退火過程中GaAs晶片和石墨接觸區域的熱應力對晶體缺陷的影響.結果錶明:在高溫退火條件下,GaAs晶體與石墨接觸區域散熱不均勻造成的熱應力,緻使該區域範性形變,從而產生高密度的位錯.GaAs晶體中的刃型位錯受熱應力作用嚮垂直滑移麵的平麵移動,聚集後可形成小角晶界,從而導緻GaAs晶體的晶格參數和取嚮均髮生變化.
용X사선연사기술분석재고온퇴화과정중GaAs정편화석묵접촉구역적열응력대정체결함적영향.결과표명:재고온퇴화조건하,GaAs정체여석묵접촉구역산열불균균조성적열응력,치사해구역범성형변,종이산생고밀도적위착.GaAs정체중적인형위착수열응력작용향수직활이면적평면이동,취집후가형성소각정계,종이도치GaAs정체적정격삼수화취향균발생변화.
