压电与声光
壓電與聲光
압전여성광
PIEZOELECTRICS & ACOUSTOOPTICS
2001年
5期
366-369
,共4页
门传玲%徐政%郑志宏%多新中%张苗%林成鲁
門傳玲%徐政%鄭誌宏%多新中%張苗%林成魯
문전령%서정%정지굉%다신중%장묘%림성로
离子束增强沉积%AlN%SOI
離子束增彊沉積%AlN%SOI
리자속증강침적%AlN%SOI
利用离子束增强沉积(IBED)法成功地在Si(100)衬底上合成了大面积均匀的非晶AlN薄膜.XRD和XPS测试结果证实该薄膜为非晶且无单质Al和N2存在,随着Al蒸发速率的提高,N/Al下降,在0.05 nm/s及0.10nm/s的蒸发速率下制得的薄膜N/A1分别为0.402:1和0.250:1.SRP测试结果表明,随着Al蒸发速率的提高,表面电阻下降,并且在0.05 nm/s的速率下制得的薄膜均匀致密,表面电阻高于108 Ω,绝缘性能良好,而当蒸发速率≥0.25 nm/s时,薄膜绝缘性能迅速下降.AFM分析显示薄膜呈岛状分布,且0.05 nm/s制取的样品表面呈鹅卵石密堆积,颗粒均匀,表面比0.10 nm/s样品起伏平缓、光滑,薄膜的生长机制可能是三维岛状生长.
利用離子束增彊沉積(IBED)法成功地在Si(100)襯底上閤成瞭大麵積均勻的非晶AlN薄膜.XRD和XPS測試結果證實該薄膜為非晶且無單質Al和N2存在,隨著Al蒸髮速率的提高,N/Al下降,在0.05 nm/s及0.10nm/s的蒸髮速率下製得的薄膜N/A1分彆為0.402:1和0.250:1.SRP測試結果錶明,隨著Al蒸髮速率的提高,錶麵電阻下降,併且在0.05 nm/s的速率下製得的薄膜均勻緻密,錶麵電阻高于108 Ω,絕緣性能良好,而噹蒸髮速率≥0.25 nm/s時,薄膜絕緣性能迅速下降.AFM分析顯示薄膜呈島狀分佈,且0.05 nm/s製取的樣品錶麵呈鵝卵石密堆積,顆粒均勻,錶麵比0.10 nm/s樣品起伏平緩、光滑,薄膜的生長機製可能是三維島狀生長.
이용리자속증강침적(IBED)법성공지재Si(100)츤저상합성료대면적균균적비정AlN박막.XRD화XPS측시결과증실해박막위비정차무단질Al화N2존재,수착Al증발속솔적제고,N/Al하강,재0.05 nm/s급0.10nm/s적증발속솔하제득적박막N/A1분별위0.402:1화0.250:1.SRP측시결과표명,수착Al증발속솔적제고,표면전조하강,병차재0.05 nm/s적속솔하제득적박막균균치밀,표면전조고우108 Ω,절연성능량호,이당증발속솔≥0.25 nm/s시,박막절연성능신속하강.AFM분석현시박막정도상분포,차0.05 nm/s제취적양품표면정아란석밀퇴적,과립균균,표면비0.10 nm/s양품기복평완、광활,박막적생장궤제가능시삼유도상생장.
