微电子学与计算机
微電子學與計算機
미전자학여계산궤
MICROELECTRONICS & COMPUTER
2001年
3期
46-49
,共4页
BF2+注入%开启电压%硼穿透
BF2+註入%開啟電壓%硼穿透
BF2+주입%개계전압%붕천투
文章研究了BF2+注入对PMOS晶体管开启电压的影响.试验发现,在我们的工艺条件下,BF2+注入能量是影响PMOS管开启电压的主要因素,能量高于67.5Kev的BF2+注入可导致开启电压正漂.而退火对开启电压正漂没有影响,F离子也没有促进B穿透.
文章研究瞭BF2+註入對PMOS晶體管開啟電壓的影響.試驗髮現,在我們的工藝條件下,BF2+註入能量是影響PMOS管開啟電壓的主要因素,能量高于67.5Kev的BF2+註入可導緻開啟電壓正漂.而退火對開啟電壓正漂沒有影響,F離子也沒有促進B穿透.
문장연구료BF2+주입대PMOS정체관개계전압적영향.시험발현,재아문적공예조건하,BF2+주입능량시영향PMOS관개계전압적주요인소,능량고우67.5Kev적BF2+주입가도치개계전압정표.이퇴화대개계전압정표몰유영향,F리자야몰유촉진B천투.
