发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2011年
8期
839-843
,共5页
周禾丰%张存%郝玉英%高志翔%王华%许并社
週禾豐%張存%郝玉英%高誌翔%王華%許併社
주화봉%장존%학옥영%고지상%왕화%허병사
有机电致发光器件%磷光%界面结构%发光效率
有機電緻髮光器件%燐光%界麵結構%髮光效率
유궤전치발광기건%린광%계면결구%발광효솔
以传统有机电致磷光器件ITO/NPB/CBP:Ir (ppy) 3/BAlq/Alq3/LiF/Al为研究对象,在NPB/CBP:Ir(ppy)3、CBP:Ir(ppy) 3/BAlq及BAlq/Alq3界面处构造交互穿插结构.器件的光电性能测试表明:交互穿插结构一方面能够降低电流密度,减少高电流密度下磷光猝灭中心的形成；另一方面能增加载流子复合界面面积,从而分散界面三线态激子,降低三线态-三线态激子的猝灭.此外,界面凸起的存在还有利于器件的光耦合输出.实验结果表明:当穿插厚度为10 nm,器件的最大电流效率达到34.0 cd/A,与传统器件的电流效率18.7 cd/A相比,提高了55％.
以傳統有機電緻燐光器件ITO/NPB/CBP:Ir (ppy) 3/BAlq/Alq3/LiF/Al為研究對象,在NPB/CBP:Ir(ppy)3、CBP:Ir(ppy) 3/BAlq及BAlq/Alq3界麵處構造交互穿插結構.器件的光電性能測試錶明:交互穿插結構一方麵能夠降低電流密度,減少高電流密度下燐光猝滅中心的形成；另一方麵能增加載流子複閤界麵麵積,從而分散界麵三線態激子,降低三線態-三線態激子的猝滅.此外,界麵凸起的存在還有利于器件的光耦閤輸齣.實驗結果錶明:噹穿插厚度為10 nm,器件的最大電流效率達到34.0 cd/A,與傳統器件的電流效率18.7 cd/A相比,提高瞭55％.
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