科学通报
科學通報
과학통보
CHINESE SCIENCE BULLETIN
2000年
12期
1263-1267
,共5页
常新安%李云飞%王民%蒋耘华%王希敏%张克从
常新安%李雲飛%王民%蔣耘華%王希敏%張剋從
상신안%리운비%왕민%장운화%왕희민%장극종
GLTGS晶体生长%热释电系数%品质因子%矫顽电场
GLTGS晶體生長%熱釋電繫數%品質因子%矯頑電場
GLTGS정체생장%열석전계수%품질인자%교완전장
根据结构与性能的关系, 选择胍基乙酸作为掺质, 采用水溶液降温法生长了GLTGS晶体, 发现掺质的存在使晶体的生长形态、单胞参数和解理性均发生了变化. 对所生长晶体的热释电性能进行了系统测量. 结果表明, 掺质显著地增强了晶体的热释电效应, 与纯TGS晶体相比, GLTGS晶体在20- 30℃的温度范围内, 热释电系数增加了49.3%- 55.8%, 品质因子增加了35.4%- 49.3%. 另外, 经过测量晶体的电滞回线发现, 在相同条件下, GLTGS晶体的矫顽电场比纯TGS晶体约增大一倍.
根據結構與性能的關繫, 選擇胍基乙痠作為摻質, 採用水溶液降溫法生長瞭GLTGS晶體, 髮現摻質的存在使晶體的生長形態、單胞參數和解理性均髮生瞭變化. 對所生長晶體的熱釋電性能進行瞭繫統測量. 結果錶明, 摻質顯著地增彊瞭晶體的熱釋電效應, 與純TGS晶體相比, GLTGS晶體在20- 30℃的溫度範圍內, 熱釋電繫數增加瞭49.3%- 55.8%, 品質因子增加瞭35.4%- 49.3%. 另外, 經過測量晶體的電滯迴線髮現, 在相同條件下, GLTGS晶體的矯頑電場比純TGS晶體約增大一倍.
근거결구여성능적관계, 선택고기을산작위참질, 채용수용액강온법생장료GLTGS정체, 발현참질적존재사정체적생장형태、단포삼수화해이성균발생료변화. 대소생장정체적열석전성능진행료계통측량. 결과표명, 참질현저지증강료정체적열석전효응, 여순TGS정체상비, GLTGS정체재20- 30℃적온도범위내, 열석전계수증가료49.3%- 55.8%, 품질인자증가료35.4%- 49.3%. 령외, 경과측량정체적전체회선발현, 재상동조건하, GLTGS정체적교완전장비순TGS정체약증대일배.
