MOCVD方法制备的立方GaN/GaAs(001)中六角相含量退火行为的研究
MOCVD방법제비적립방GaN/GaAs(001)중륙각상함량퇴화행위적연구
  • 万方数据
    中国科学(A辑) 중국과학(A집)
    SCIENCE IN CHINA(SERIES A)
    1999年 5期 444-449 ,共6页

    孙小玲%杨辉%王玉田%李国华%郑联喜%李建斌%徐大鹏%王占国

    손소령%양휘%왕옥전%리국화%정련희%리건빈%서대붕%왕점국

    立方相%GaN%六角相含量%热退火 立方相%GaN%六角相含量%熱退火
    립방상%GaN%륙각상함량%열퇴화
    采用高温热退火的方法,在不同条件下对低压MOCVD在GaAs(001)衬底制备的立方GaN薄膜进行处理,利用光致发光光谱和Raman散射光谱来研究六角相的含量变化.报道了亚稳态立方GaN的六角相含量变化条件及其光学特征.在GaN/GaAs之间存在一个界面层,高温退火时,来自界面层的TOB,LOB声子的强度降低,而来自六角相的E2声子增强,说明六角相含量增加.样品原结晶质量欠佳是六角相含量变化发生的主要原因.在较低的温度下,六角相含量没有明显变化,而且与退火时间无关.
    채용고온열퇴화적방법,재불동조건하대저압MOCVD재GaAs(001)츤저제비적립방GaN박막진행처리,이용광치발광광보화Raman산사광보래연구륙각상적함량변화.보도료아은태립방GaN적륙각상함량변화조건급기광학특정.재GaN/GaAs지간존재일개계면층,고온퇴화시,래자계면층적TOB,LOB성자적강도강저,이래자륙각상적E2성자증강,설명륙각상함량증가.양품원결정질량흠가시륙각상함량변화발생적주요원인.재교저적온도하,륙각상함량몰유명현변화,이차여퇴화시간무관.
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