微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
1999年
6期
407-412
,共6页
庞海舟%阮刚%杨文清%郑国祥%曹永明
龐海舟%阮剛%楊文清%鄭國祥%曹永明
방해주%원강%양문청%정국상%조영명
离子注入%集成电路%工艺模拟%二次离子质谱
離子註入%集成電路%工藝模擬%二次離子質譜
리자주입%집성전로%공예모의%이차리자질보
对离子注入分布杂质浓度模拟的不同模型进行了简短的回顾,介绍了在SupremⅣ中采用的双Pearson分布模型.通过对B+及As+在不同剂量和能量下对硅中的注入,采用SIMS进行浓度分布测试,对双Pearson模型作了评估.
對離子註入分佈雜質濃度模擬的不同模型進行瞭簡短的迴顧,介紹瞭在SupremⅣ中採用的雙Pearson分佈模型.通過對B+及As+在不同劑量和能量下對硅中的註入,採用SIMS進行濃度分佈測試,對雙Pearson模型作瞭評估.
대리자주입분포잡질농도모의적불동모형진행료간단적회고,개소료재SupremⅣ중채용적쌍Pearson분포모형.통과대B+급As+재불동제량화능량하대규중적주입,채용SIMS진행농도분포측시,대쌍Pearson모형작료평고.
