硅酸盐学报
硅痠鹽學報
규산염학보
JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY
1999年
6期
727-733
,共7页
周国清%徐科%邓佩珍%徐军%周永宗%干福熹%朱人元
週國清%徐科%鄧珮珍%徐軍%週永宗%榦福熹%硃人元
주국청%서과%산패진%서군%주영종%간복희%주인원
温度梯度法%氧化铝%位错腐蚀坑%晶体生长
溫度梯度法%氧化鋁%位錯腐蝕坑%晶體生長
온도제도법%양화려%위착부식갱%정체생장
利用导向籽晶温度梯度法(TGT)生长了φ110 mm×80 mm的蓝宝石单晶,应用化学腐蚀、光学方法分析了该晶体不同部位、不同切片的位错腐蚀形貌、位错密度及其分布情况,发现在晶体放肩处的(1120)面位错密度约为104 cm-2量级,等径生长过程中靠近晶体中心处(0001)面位错密度为(3～4)×103 cm-2,靠近坩埚壁处(0001)面晶体位错密度为(5～6)×103 cm-2.用同样方法分析了提拉法(Cz)生长的φ50 mm×80 mm蓝宝石晶体的位错.相比而言,TGT法生长的Al2O3位错密度比Cz法的Al2O3晶体低得多,约低一个数量级,TGT法可以生长大尺寸、高完整性的Al2O3晶体,这与TGT法的特殊生长工艺有密切关系.
利用導嚮籽晶溫度梯度法(TGT)生長瞭φ110 mm×80 mm的藍寶石單晶,應用化學腐蝕、光學方法分析瞭該晶體不同部位、不同切片的位錯腐蝕形貌、位錯密度及其分佈情況,髮現在晶體放肩處的(1120)麵位錯密度約為104 cm-2量級,等徑生長過程中靠近晶體中心處(0001)麵位錯密度為(3～4)×103 cm-2,靠近坩堝壁處(0001)麵晶體位錯密度為(5～6)×103 cm-2.用同樣方法分析瞭提拉法(Cz)生長的φ50 mm×80 mm藍寶石晶體的位錯.相比而言,TGT法生長的Al2O3位錯密度比Cz法的Al2O3晶體低得多,約低一箇數量級,TGT法可以生長大呎吋、高完整性的Al2O3晶體,這與TGT法的特殊生長工藝有密切關繫.
이용도향자정온도제도법(TGT)생장료φ110 mm×80 mm적람보석단정,응용화학부식、광학방법분석료해정체불동부위、불동절편적위착부식형모、위착밀도급기분포정황,발현재정체방견처적(1120)면위착밀도약위104 cm-2량급,등경생장과정중고근정체중심처(0001)면위착밀도위(3～4)×103 cm-2,고근감과벽처(0001)면정체위착밀도위(5～6)×103 cm-2.용동양방법분석료제랍법(Cz)생장적φ50 mm×80 mm람보석정체적위착.상비이언,TGT법생장적Al2O3위착밀도비Cz법적Al2O3정체저득다,약저일개수량급,TGT법가이생장대척촌、고완정성적Al2O3정체,저여TGT법적특수생장공예유밀절관계.
