半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
1999年
2期
92-96
,共5页
郭九苓%王舒民%陈水莲%郭长志
郭九苓%王舒民%陳水蓮%郭長誌
곽구령%왕서민%진수련%곽장지
法诺干涉%半导体Ⅱ类量子阱%半导体激光器%无反转增益
法諾榦涉%半導體Ⅱ類量子阱%半導體激光器%無反轉增益
법낙간섭%반도체Ⅱ류양자정%반도체격광기%무반전증익
把量子统计的密度矩阵理论与电子的统计分布行为相结合,克服了发散困难,首次成功地处理了连续谱与连续谱之间的组态相互作用.得出能够针对半导体Ⅱ类量子阱中能谱结构特点的法诺态及其相应的吸收谱和发射谱结构.结果表明,这些特性都在一定程度上是可控的,因此通过适当的设计完全可以在半导体Ⅱ类量子阱中实现无粒子数反转的增益,制成无粒子数反转的半导体激光器.
把量子統計的密度矩陣理論與電子的統計分佈行為相結閤,剋服瞭髮散睏難,首次成功地處理瞭連續譜與連續譜之間的組態相互作用.得齣能夠針對半導體Ⅱ類量子阱中能譜結構特點的法諾態及其相應的吸收譜和髮射譜結構.結果錶明,這些特性都在一定程度上是可控的,因此通過適噹的設計完全可以在半導體Ⅱ類量子阱中實現無粒子數反轉的增益,製成無粒子數反轉的半導體激光器.
파양자통계적밀도구진이론여전자적통계분포행위상결합,극복료발산곤난,수차성공지처리료련속보여련속보지간적조태상호작용.득출능구침대반도체Ⅱ류양자정중능보결구특점적법낙태급기상응적흡수보화발사보결구.결과표명,저사특성도재일정정도상시가공적,인차통과괄당적설계완전가이재반도체Ⅱ류양자정중실현무입자수반전적증익,제성무입자수반전적반도체격광기.
