硅酸盐学报
硅痠鹽學報
규산염학보
JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY
1999年
2期
193-201
,共9页
刘大格%张洪喜%王中%赵连城
劉大格%張洪喜%王中%趙連城
류대격%장홍희%왕중%조련성
溶胶-凝胶法%PZT薄膜%快速热处理%显微结构%结晶
溶膠-凝膠法%PZT薄膜%快速熱處理%顯微結構%結晶
용효-응효법%PZT박막%쾌속열처리%현미결구%결정
用溶胶-凝胶技术制备了组成在准同型相界点[m(Zr)/m(Ti)=52/48]附近的钙钛矿相PZT薄膜,并运用原子力显微分析与椭偏法测试相结合的方法跟踪了薄膜的烧结过程. 结果表明:钙钛矿相PZT[m(Zr)/m(Ti)=52/48]薄膜晶化发生于约550 ℃,并伴随着薄膜表面的粗糙化;镀铂硅基片表面粗糙度对PZT薄膜的晶化有很大影响. 根据AFM,XRD 测试结果,分析了不同热处理条件对PZT薄膜微结构及漏电流特性的影响,提出合适的热处理条件. 分析了PZT薄膜钙钛矿相形成温度高于相应粉体的原因.
用溶膠-凝膠技術製備瞭組成在準同型相界點[m(Zr)/m(Ti)=52/48]附近的鈣鈦礦相PZT薄膜,併運用原子力顯微分析與橢偏法測試相結閤的方法跟蹤瞭薄膜的燒結過程. 結果錶明:鈣鈦礦相PZT[m(Zr)/m(Ti)=52/48]薄膜晶化髮生于約550 ℃,併伴隨著薄膜錶麵的粗糙化;鍍鉑硅基片錶麵粗糙度對PZT薄膜的晶化有很大影響. 根據AFM,XRD 測試結果,分析瞭不同熱處理條件對PZT薄膜微結構及漏電流特性的影響,提齣閤適的熱處理條件. 分析瞭PZT薄膜鈣鈦礦相形成溫度高于相應粉體的原因.
용용효-응효기술제비료조성재준동형상계점[m(Zr)/m(Ti)=52/48]부근적개태광상PZT박막,병운용원자력현미분석여타편법측시상결합적방법근종료박막적소결과정. 결과표명:개태광상PZT[m(Zr)/m(Ti)=52/48]박막정화발생우약550 ℃,병반수착박막표면적조조화;도박규기편표면조조도대PZT박막적정화유흔대영향. 근거AFM,XRD 측시결과,분석료불동열처리조건대PZT박막미결구급루전류특성적영향,제출합괄적열처리조건. 분석료PZT박막개태광상형성온도고우상응분체적원인.
