电子学报
電子學報
전자학보
ACTA ELECTRONICA SINICA
2002年
11期
1601-1604
,共4页
张国艳%廖怀林%黄如%Mansun CHAN%张兴%王阳元
張國豔%廖懷林%黃如%Mansun CHAN%張興%王暘元
장국염%료부림%황여%Mansun CHAN%장흥%왕양원
噪声%模型%SOI MOSFET's
譟聲%模型%SOI MOSFET's
조성%모형%SOI MOSFET's
提出了一个新的解析的适用于SOI MOSFET's的高频噪声模型.该模型通过耦合能量平衡方程克服了以往噪声模型所具有的缺点,并对短沟SOI器件的噪声给出精确地描述.同时,利用该模型可以容易地计算出相对于最小噪声值处的优化的栅源电压,为低噪声的电路设计提供优化的设计方向.由于该噪声模型的简单性,可以很方便地将模型植入电路模拟器如SPICE中完成电路设计.
提齣瞭一箇新的解析的適用于SOI MOSFET's的高頻譟聲模型.該模型通過耦閤能量平衡方程剋服瞭以往譟聲模型所具有的缺點,併對短溝SOI器件的譟聲給齣精確地描述.同時,利用該模型可以容易地計算齣相對于最小譟聲值處的優化的柵源電壓,為低譟聲的電路設計提供優化的設計方嚮.由于該譟聲模型的簡單性,可以很方便地將模型植入電路模擬器如SPICE中完成電路設計.
제출료일개신적해석적괄용우SOI MOSFET's적고빈조성모형.해모형통과우합능량평형방정극복료이왕조성모형소구유적결점,병대단구SOI기건적조성급출정학지묘술.동시,이용해모형가이용역지계산출상대우최소조성치처적우화적책원전압,위저조성적전로설계제공우화적설계방향.유우해조성모형적간단성,가이흔방편지장모형식입전로모의기여SPICE중완성전로설계.
