半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2002年
10期
1106-1111
,共6页
开关电流(SI)%S2I存储单元%精度
開關電流(SI)%S2I存儲單元%精度
개관전류(SI)%S2I존저단원%정도
针对原型S2I开关电流存储单元性能上的一些弱点,提出了共源-共栅组态的S2I电流存储单元(简称CS2I)新结构,使其关键速度与精度性能得到较好的改善.相同器件尺寸下的S2I与CS2I单元电路相比,后者速度性能提高了1.6倍,两种电路结构同样应用于延迟单元和双采样双线性积分器功能部件的HSPICE仿真表明:CS2I方式组成的延迟单元的精度提高了5倍,双采样双线性积分器的三次谐波减少了15dB.
針對原型S2I開關電流存儲單元性能上的一些弱點,提齣瞭共源-共柵組態的S2I電流存儲單元(簡稱CS2I)新結構,使其關鍵速度與精度性能得到較好的改善.相同器件呎吋下的S2I與CS2I單元電路相比,後者速度性能提高瞭1.6倍,兩種電路結構同樣應用于延遲單元和雙採樣雙線性積分器功能部件的HSPICE倣真錶明:CS2I方式組成的延遲單元的精度提高瞭5倍,雙採樣雙線性積分器的三次諧波減少瞭15dB.
침대원형S2I개관전류존저단원성능상적일사약점,제출료공원-공책조태적S2I전류존저단원(간칭CS2I)신결구,사기관건속도여정도성능득도교호적개선.상동기건척촌하적S2I여CS2I단원전로상비,후자속도성능제고료1.6배,량충전로결구동양응용우연지단원화쌍채양쌍선성적분기공능부건적HSPICE방진표명:CS2I방식조성적연지단원적정도제고료5배,쌍채양쌍선성적분기적삼차해파감소료15dB.
