半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2002年
6期
561-564
,共4页
胡冬枝%杨建树%蔡群%张翔九%胡际璜%蒋最敏
鬍鼕枝%楊建樹%蔡群%張翔九%鬍際璜%蔣最敏
호동지%양건수%채군%장상구%호제황%장최민
量子点%硅基材料%形貌评价%AFM
量子點%硅基材料%形貌評價%AFM
양자점%규기재료%형모평개%AFM
quantum dots%Si-based materials%evolution of morphology%atomic force microscopy
在超高真空系统中,用扫描隧道显微镜(STM)和原子力显微镜(AFM)研究了自组织生长的Ge量子点经不同温度退火后的变化.实验发现,当退火温度为630℃时,出现了许多新的量子点.与原来的在分子束外延过程中形成的无失配位错的量子点相比,新形成的量子点被认为是存在位错的岛.
在超高真空繫統中,用掃描隧道顯微鏡(STM)和原子力顯微鏡(AFM)研究瞭自組織生長的Ge量子點經不同溫度退火後的變化.實驗髮現,噹退火溫度為630℃時,齣現瞭許多新的量子點.與原來的在分子束外延過程中形成的無失配位錯的量子點相比,新形成的量子點被認為是存在位錯的島.
재초고진공계통중,용소묘수도현미경(STM)화원자력현미경(AFM)연구료자조직생장적Ge양자점경불동온도퇴화후적변화.실험발현,당퇴화온도위630℃시,출현료허다신적양자점.여원래적재분자속외연과정중형성적무실배위착적양자점상비,신형성적양자점피인위시존재위착적도.
The evolution of self-organized Ge quantum dots structure is investigated by scanning tunneling microscopy and atomic force microscopy during annealing treatment up to 700℃ in an ultra high vacuum(UHV) system.When the sample temperature rises to 630℃,a great amount of new dots emerge on the wetting layer,which are believed to be incoherent islands compared with the dislocation-free coherent islands formed during molecular beam epitaxy growth.
