ZnO薄膜的XPS研究
ZnO박막적XPS연구
Studies of ZnO films XPS
  • 万方数据
    半导体光电 반도체광전
    SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
    2002年 6期 426-428 ,共3页

    王金忠%杨小天%赵佰军%张源涛%刘大力%王海嵩%杨树人%杜国同

    왕금충%양소천%조백군%장원도%류대력%왕해숭%양수인%두국동

    等离子体增强型MOCVD%X光衍射%光电子能谱 等離子體增彊型MOCVD%X光衍射%光電子能譜
    등리자체증강형MOCVD%X광연사%광전자능보
    利用等离子体增强型MOCVD设备,在C面蓝宝石上生长出了C轴取向的未退火、生长后一次退火和生长过程中多次退火的ZnO薄膜样品,并通过X光衍射和X光电子能谱对样品进行了表征,结果表明生长过程中多次退火的样品具有较高的质量,O/Zn原子比较大,且受空气中氧和水汽的影响最小.
    이용등리자체증강형MOCVD설비,재C면람보석상생장출료C축취향적미퇴화、생장후일차퇴화화생장과정중다차퇴화적ZnO박막양품,병통과X광연사화X광전자능보대양품진행료표정,결과표명생장과정중다차퇴화적양품구유교고적질량,O/Zn원자비교대,차수공기중양화수기적영향최소.
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