硅酸盐学报
硅痠鹽學報
규산염학보
JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY
2002年
3期
372-381
,共10页
碳化硅%体单晶生长%薄膜%器件
碳化硅%體單晶生長%薄膜%器件
탄화규%체단정생장%박막%기건
SiC是第3代宽带隙半导体的核心材料之一, 具有极为优良的物理化学性能, 应用前景十分广阔. 本文综合介绍SiC的基本特性, 材料的生长技术(包括体单晶生长和薄膜外延生长技术), SiC基器件的研发现状, 应用领域及发展前景. 同时还介绍了作者用脉冲激光淀积法在Si衬底上制备出单晶4H-SiC薄膜的研究结果.
SiC是第3代寬帶隙半導體的覈心材料之一, 具有極為優良的物理化學性能, 應用前景十分廣闊. 本文綜閤介紹SiC的基本特性, 材料的生長技術(包括體單晶生長和薄膜外延生長技術), SiC基器件的研髮現狀, 應用領域及髮展前景. 同時還介紹瞭作者用脈遲激光澱積法在Si襯底上製備齣單晶4H-SiC薄膜的研究結果.
SiC시제3대관대극반도체적핵심재료지일, 구유겁위우량적물이화학성능, 응용전경십분엄활. 본문종합개소SiC적기본특성, 재료적생장기술(포괄체단정생장화박막외연생장기술), SiC기기건적연발현상, 응용영역급발전전경. 동시환개소료작자용맥충격광정적법재Si츤저상제비출단정4H-SiC박막적연구결과.
