半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2002年
2期
128-131
,共4页
刘翔%吴长树%张鹏翔%角忠华%赵德锐%陈庭金%廖仕坤%杨家明
劉翔%吳長樹%張鵬翔%角忠華%趙德銳%陳庭金%廖仕坤%楊傢明
류상%오장수%장붕상%각충화%조덕예%진정금%료사곤%양가명
两步生长%直接生长%GaAs/Si
兩步生長%直接生長%GaAs/Si
량보생장%직접생장%GaAs/Si
报道了采用热壁外延(HWE)技术,在(100),(111)和(211)三种典型Si表面通过两步生长和直接生长法制备GaAs单晶薄膜,经过拉曼光谱、霍尔测试和荧光光谱分析比较,得出结论:(1)相同取向Si衬底,两步生长法制备的GaAs薄膜结晶质量比直接生长法制备的GaAs薄膜的要好;(2)采用HWE技术在Si上异质外延GaAs薄膜,其表面缓冲层的生长是降低位错、提高外延质量的基础;(3)不同取向Si衬底对GaAs外延层结晶质量有影响, (211)面外延的GaAs薄膜质量最好,(100)面次之,(111)面最差.
報道瞭採用熱壁外延(HWE)技術,在(100),(111)和(211)三種典型Si錶麵通過兩步生長和直接生長法製備GaAs單晶薄膜,經過拉曼光譜、霍爾測試和熒光光譜分析比較,得齣結論:(1)相同取嚮Si襯底,兩步生長法製備的GaAs薄膜結晶質量比直接生長法製備的GaAs薄膜的要好;(2)採用HWE技術在Si上異質外延GaAs薄膜,其錶麵緩遲層的生長是降低位錯、提高外延質量的基礎;(3)不同取嚮Si襯底對GaAs外延層結晶質量有影響, (211)麵外延的GaAs薄膜質量最好,(100)麵次之,(111)麵最差.
보도료채용열벽외연(HWE)기술,재(100),(111)화(211)삼충전형Si표면통과량보생장화직접생장법제비GaAs단정박막,경과랍만광보、곽이측시화형광광보분석비교,득출결론:(1)상동취향Si츤저,량보생장법제비적GaAs박막결정질량비직접생장법제비적GaAs박막적요호;(2)채용HWE기술재Si상이질외연GaAs박막,기표면완충층적생장시강저위착、제고외연질량적기출;(3)불동취향Si츤저대GaAs외연층결정질량유영향, (211)면외연적GaAs박막질량최호,(100)면차지,(111)면최차.
