真空电子技术
真空電子技術
진공전자기술
VACUUM ELECTRONICS
2002年
2期
1-4
,共4页
于广华%崔新发%金建灵%王安荣
于廣華%崔新髮%金建靈%王安榮
우엄화%최신발%금건령%왕안영
磁控溅射%SiO2/Ta界面%界面反应%X射线光电子能谱
磁控濺射%SiO2/Ta界麵%界麵反應%X射線光電子能譜
자공천사%SiO2/Ta계면%계면반응%X사선광전자능보
磁性多层膜常用磁控溅射的方法制备,并且以金属Ta做为缓冲层.本研究利用这种方法在单晶硅基片上沉积了Ta/NiFe/Ta薄膜.采用X射线光电子能谱(XPS)对该薄膜进行了深度剖析,并且对获得的Ta 4f和Si 2p的高分辨率XPS谱进行计算机谱图拟合分析.结果表明:磁控溅射这种高能量制膜技术导致了在SiO2/Ta界面处发生了化学反应:15 SiO2 + 37 Ta = 6 Ta2O5 + 5 Ta5Si3,该反应使得界面有"互混层"存在,从而导致诱发NiFe膜(111)织构所需的Ta缓冲层实际厚度的增加.从本研究还可以看出XPS是表征磁性薄膜界面化学状态的一种有利工具.
磁性多層膜常用磁控濺射的方法製備,併且以金屬Ta做為緩遲層.本研究利用這種方法在單晶硅基片上沉積瞭Ta/NiFe/Ta薄膜.採用X射線光電子能譜(XPS)對該薄膜進行瞭深度剖析,併且對穫得的Ta 4f和Si 2p的高分辨率XPS譜進行計算機譜圖擬閤分析.結果錶明:磁控濺射這種高能量製膜技術導緻瞭在SiO2/Ta界麵處髮生瞭化學反應:15 SiO2 + 37 Ta = 6 Ta2O5 + 5 Ta5Si3,該反應使得界麵有"互混層"存在,從而導緻誘髮NiFe膜(111)織構所需的Ta緩遲層實際厚度的增加.從本研究還可以看齣XPS是錶徵磁性薄膜界麵化學狀態的一種有利工具.
자성다층막상용자공천사적방법제비,병차이금속Ta주위완충층.본연구이용저충방법재단정규기편상침적료Ta/NiFe/Ta박막.채용X사선광전자능보(XPS)대해박막진행료심도부석,병차대획득적Ta 4f화Si 2p적고분변솔XPS보진행계산궤보도의합분석.결과표명:자공천사저충고능량제막기술도치료재SiO2/Ta계면처발생료화학반응:15 SiO2 + 37 Ta = 6 Ta2O5 + 5 Ta5Si3,해반응사득계면유"호혼층"존재,종이도치유발NiFe막(111)직구소수적Ta완충층실제후도적증가.종본연구환가이간출XPS시표정자성박막계면화학상태적일충유리공구.
