半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2002年
1期
74-77
,共4页
韩德栋%张国强%任迪远%陆妩%严荣良
韓德棟%張國彊%任迪遠%陸嫵%嚴榮良
한덕동%장국강%임적원%륙무%엄영량
不同工艺%超薄栅氧化层%抗击穿特性
不同工藝%超薄柵氧化層%抗擊穿特性
불동공예%초박책양화층%항격천특성
对注F、注N以及先注N后注F超薄栅氧化层的击穿特性进行了实验研究,实验结果表明,在栅介质中引入适量的F或N都可以明显地提高栅介质的抗击穿能力.分析研究表明,栅氧化层的击穿主要是由于正电荷的积累造成的,F或N的引入可以补偿Si/SiO2界面和SiO2中的O3≡Si·和Si3≡Si·等由工艺引入的氧化物陷阱和界面陷阱,从而减少了初始固定正电荷和Si/SiO2界面态,提高了栅氧化层的质量.通过比较发现,注N栅氧化层的抗击穿能力比注F栅氧化层强.
對註F、註N以及先註N後註F超薄柵氧化層的擊穿特性進行瞭實驗研究,實驗結果錶明,在柵介質中引入適量的F或N都可以明顯地提高柵介質的抗擊穿能力.分析研究錶明,柵氧化層的擊穿主要是由于正電荷的積纍造成的,F或N的引入可以補償Si/SiO2界麵和SiO2中的O3≡Si·和Si3≡Si·等由工藝引入的氧化物陷阱和界麵陷阱,從而減少瞭初始固定正電荷和Si/SiO2界麵態,提高瞭柵氧化層的質量.通過比較髮現,註N柵氧化層的抗擊穿能力比註F柵氧化層彊.
대주F、주N이급선주N후주F초박책양화층적격천특성진행료실험연구,실험결과표명,재책개질중인입괄량적F혹N도가이명현지제고책개질적항격천능력.분석연구표명,책양화층적격천주요시유우정전하적적루조성적,F혹N적인입가이보상Si/SiO2계면화SiO2중적O3≡Si·화Si3≡Si·등유공예인입적양화물함정화계면함정,종이감소료초시고정정전하화Si/SiO2계면태,제고료책양화층적질량.통과비교발현,주N책양화층적항격천능력비주F책양화층강.
