光电子·激光
光電子·激光
광전자·격광
JOURNAL OF OPTOECTRONICS·LASER
2001年
9期
896-898
,共3页
陈松岩%陈谋智%柳兆洪%刘瑞堂
陳鬆巖%陳謀智%柳兆洪%劉瑞堂
진송암%진모지%류조홍%류서당
射频磁控溅射%微观结构%ZnS薄膜%相变特征
射頻磁控濺射%微觀結構%ZnS薄膜%相變特徵
사빈자공천사%미관결구%ZnS박막%상변특정
利用射频磁控溅射法在Si衬底上制备ZnS薄膜,用X射线衍射技术对薄膜的结构相变进行研究,揭示了Si衬底上ZnS薄膜的微观结构和相变特征与溅射功率的关系,为寻找高新发光材料提供依据.
利用射頻磁控濺射法在Si襯底上製備ZnS薄膜,用X射線衍射技術對薄膜的結構相變進行研究,揭示瞭Si襯底上ZnS薄膜的微觀結構和相變特徵與濺射功率的關繫,為尋找高新髮光材料提供依據.
이용사빈자공천사법재Si츤저상제비ZnS박막,용X사선연사기술대박막적결구상변진행연구,게시료Si츤저상ZnS박막적미관결구화상변특정여천사공솔적관계,위심조고신발광재료제공의거.
