半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2005年
8期
1662-1666
,共5页
李杰%郭春生%莫郁薇%谢雪松%程尧海%李志国
李傑%郭春生%莫鬱薇%謝雪鬆%程堯海%李誌國
리걸%곽춘생%막욱미%사설송%정요해%리지국
温度斜坡%激活能%多退化机理
溫度斜坡%激活能%多退化機理
온도사파%격활능%다퇴화궤리
提出了一种新的微电子器件快速评价方法-温度斜坡法,建立了确定失效激活能的新模型和寿命外推新模型,使用此模型可计算出单支器件的失效激活能并外推其寿命.同时,该方法的试验温度范围较宽,可以触发不同温度范围的多种退化模式,实现对不同退化机理的研究.
提齣瞭一種新的微電子器件快速評價方法-溫度斜坡法,建立瞭確定失效激活能的新模型和壽命外推新模型,使用此模型可計算齣單支器件的失效激活能併外推其壽命.同時,該方法的試驗溫度範圍較寬,可以觸髮不同溫度範圍的多種退化模式,實現對不同退化機理的研究.
제출료일충신적미전자기건쾌속평개방법-온도사파법,건립료학정실효격활능적신모형화수명외추신모형,사용차모형가계산출단지기건적실효격활능병외추기수명.동시,해방법적시험온도범위교관,가이촉발불동온도범위적다충퇴화모식,실현대불동퇴화궤리적연구.
