半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2006年
1期
100-104
,共5页
夏长生%李志锋%王茺%陈效双%陆卫
夏長生%李誌鋒%王茺%陳效雙%陸衛
하장생%리지봉%왕충%진효쌍%륙위
InGaN/GaN发光二极管%光子运动轨迹%外量子效率
InGaN/GaN髮光二極管%光子運動軌跡%外量子效率
InGaN/GaN발광이겁관%광자운동궤적%외양자효솔
针对发射到衬底中的光子,提出了一种具有抛物线型衬底结构的InGaN/GaN发光二极管,并对平面衬底和抛物线型衬底InGaN/GaN发光二极管的光子运动轨迹、发射功率角度分布和外量子效率进行了模拟计算.结果表明:相对于平面衬底发光二极管,抛物线型衬底发光二极管可以充分利用发射到衬底中的光子,使其正向光子发射功率增加12.6倍,外量子效率提高1.22倍,同时具有发射准平行光的功能.
針對髮射到襯底中的光子,提齣瞭一種具有拋物線型襯底結構的InGaN/GaN髮光二極管,併對平麵襯底和拋物線型襯底InGaN/GaN髮光二極管的光子運動軌跡、髮射功率角度分佈和外量子效率進行瞭模擬計算.結果錶明:相對于平麵襯底髮光二極管,拋物線型襯底髮光二極管可以充分利用髮射到襯底中的光子,使其正嚮光子髮射功率增加12.6倍,外量子效率提高1.22倍,同時具有髮射準平行光的功能.
침대발사도츤저중적광자,제출료일충구유포물선형츤저결구적InGaN/GaN발광이겁관,병대평면츤저화포물선형츤저InGaN/GaN발광이겁관적광자운동궤적、발사공솔각도분포화외양자효솔진행료모의계산.결과표명:상대우평면츤저발광이겁관,포물선형츤저발광이겁관가이충분이용발사도츤저중적광자,사기정향광자발사공솔증가12.6배,외양자효솔제고1.22배,동시구유발사준평행광적공능.
