半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2008年
2期
200-202,207
,共4页
杨爱国%杨子健%杨建红%冯浩%李冠斌%崔敬忠
楊愛國%楊子健%楊建紅%馮浩%李冠斌%崔敬忠
양애국%양자건%양건홍%풍호%리관빈%최경충
氧化钒薄膜%磁控溅射%掺钛%掺铝
氧化釩薄膜%磁控濺射%摻鈦%摻鋁
양화범박막%자공천사%참태%참려
以石英片为基底材料,采用直流/射频磁控共溅射方法制备了掺Al和掺Ti的氧化钒薄膜,重点探索了用这种方法制备掺杂氧化钒薄膜的工艺条件,对所制备的氧化钒薄膜进行了热光性能测试,并利用能带理论对测试结果进行分析.实验及测试结果表明,在氧化钒薄膜中掺入Ti杂质与掺入Al杂质相比,对薄膜的热光性质的改变所起的作用更为明显.增大Ti杂质的含量对薄膜的电阻-温度特性、相变温度,以及相变滞豫区的改善比较明显,但提高了薄膜的相变温度,而掺Al引起的变化规律与此相反.
以石英片為基底材料,採用直流/射頻磁控共濺射方法製備瞭摻Al和摻Ti的氧化釩薄膜,重點探索瞭用這種方法製備摻雜氧化釩薄膜的工藝條件,對所製備的氧化釩薄膜進行瞭熱光性能測試,併利用能帶理論對測試結果進行分析.實驗及測試結果錶明,在氧化釩薄膜中摻入Ti雜質與摻入Al雜質相比,對薄膜的熱光性質的改變所起的作用更為明顯.增大Ti雜質的含量對薄膜的電阻-溫度特性、相變溫度,以及相變滯豫區的改善比較明顯,但提高瞭薄膜的相變溫度,而摻Al引起的變化規律與此相反.
이석영편위기저재료,채용직류/사빈자공공천사방법제비료참Al화참Ti적양화범박막,중점탐색료용저충방법제비참잡양화범박막적공예조건,대소제비적양화범박막진행료열광성능측시,병이용능대이론대측시결과진행분석.실험급측시결과표명,재양화범박막중참입Ti잡질여참입Al잡질상비,대박막적열광성질적개변소기적작용경위명현.증대Ti잡질적함량대박막적전조-온도특성、상변온도,이급상변체예구적개선비교명현,단제고료박막적상변온도,이참Al인기적변화규률여차상반.
