德州学院学报
德州學院學報
덕주학원학보
JOURNAL OF DEZHOU UNIVERSITY
2008年
4期
36-40,53
,共6页
薛守斌%张兴%庄惠照%薛成山
薛守斌%張興%莊惠照%薛成山
설수빈%장흥%장혜조%설성산
一维GaN纳米结构%ZnO缓冲层%磁控溅射
一維GaN納米結構%ZnO緩遲層%磁控濺射
일유GaN납미결구%ZnO완충층%자공천사
采用在石英炉中,氨化Ga2O3薄膜的方法,在Si(111)衬底上成功了制备GaN纳米结构薄膜:纳米线、纳米棒.分别用X射线衍射仪(XRD,Rigaku D/Max-rB Cu K.)、傅立叶红外透射谱(FTIR,TENSOR27)、扫描电子显微镜(SEM,Hitachi S-570)、高分辨电镜(HRTEM,Philips TECNAI F30)和光致发光谱对样品的结构、成分、形貌和光学特性进行了测量分析.最后,简要的讨论了其生长机制.
採用在石英爐中,氨化Ga2O3薄膜的方法,在Si(111)襯底上成功瞭製備GaN納米結構薄膜:納米線、納米棒.分彆用X射線衍射儀(XRD,Rigaku D/Max-rB Cu K.)、傅立葉紅外透射譜(FTIR,TENSOR27)、掃描電子顯微鏡(SEM,Hitachi S-570)、高分辨電鏡(HRTEM,Philips TECNAI F30)和光緻髮光譜對樣品的結構、成分、形貌和光學特性進行瞭測量分析.最後,簡要的討論瞭其生長機製.
채용재석영로중,안화Ga2O3박막적방법,재Si(111)츤저상성공료제비GaN납미결구박막:납미선、납미봉.분별용X사선연사의(XRD,Rigaku D/Max-rB Cu K.)、부립협홍외투사보(FTIR,TENSOR27)、소묘전자현미경(SEM,Hitachi S-570)、고분변전경(HRTEM,Philips TECNAI F30)화광치발광보대양품적결구、성분、형모화광학특성진행료측량분석.최후,간요적토론료기생장궤제.
