临沂师范学院学报
臨沂師範學院學報
림기사범학원학보
JOURNAL OF LINYI TEACHERS' COLLEGE
2008年
6期
30-33
,共4页
平面波赝势方法%密度泛函理论%b相氮化硅%C掺杂
平麵波贗勢方法%密度汎函理論%b相氮化硅%C摻雜
평면파안세방법%밀도범함이론%b상담화규%C참잡
运用密度泛函平面波赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA),对替代式C掺杂卢β-Si3N4的超晶胞电子结构进行了模拟计算,分析了β-Si3N4:C的电子结构和光学性质.对C掺杂前后电子结构的异同以及价键的一些性质进行了对比分析发现,由于C的掺杂,价带宽度展宽,导带宽度和禁带宽度均变窄;态密度出现了几个新的峰,平均峰值有所减小.通过对比分析光吸收系数发现,相对于β-Si3N4的光吸收系数,β-Si3N4:C的吸收系数有所降低,并且向长波方向移动,100nm处的吸收峰向长波方向移动约11.8 nm.
運用密度汎函平麵波贗勢方法(PWP)和廣義梯度近似(GGA),對替代式C摻雜盧β-Si3N4的超晶胞電子結構進行瞭模擬計算,分析瞭β-Si3N4:C的電子結構和光學性質.對C摻雜前後電子結構的異同以及價鍵的一些性質進行瞭對比分析髮現,由于C的摻雜,價帶寬度展寬,導帶寬度和禁帶寬度均變窄;態密度齣現瞭幾箇新的峰,平均峰值有所減小.通過對比分析光吸收繫數髮現,相對于β-Si3N4的光吸收繫數,β-Si3N4:C的吸收繫數有所降低,併且嚮長波方嚮移動,100nm處的吸收峰嚮長波方嚮移動約11.8 nm.
운용밀도범함평면파안세방법(PWP)화엄의제도근사(GGA),대체대식C참잡로β-Si3N4적초정포전자결구진행료모의계산,분석료β-Si3N4:C적전자결구화광학성질.대C참잡전후전자결구적이동이급개건적일사성질진행료대비분석발현,유우C적참잡,개대관도전관,도대관도화금대관도균변착;태밀도출현료궤개신적봉,평균봉치유소감소.통과대비분석광흡수계수발현,상대우β-Si3N4적광흡수계수,β-Si3N4:C적흡수계수유소강저,병차향장파방향이동,100nm처적흡수봉향장파방향이동약11.8 nm.
