天津科技
天津科技
천진과기
TIANJIN SCIENCE & TECHNOLOGY
2009年
6期
6-8
,共3页
刘锋%韩焕鹏%李丹%王富田%李方%王世援
劉鋒%韓煥鵬%李丹%王富田%李方%王世援
류봉%한환붕%리단%왕부전%리방%왕세원
硅单晶%重掺磷%位错%FPD缺陷
硅單晶%重摻燐%位錯%FPD缺陷
규단정%중참린%위착%FPD결함
在国产TDR-62硅单晶炉上,采用10英寸和12英寸热系统开展了重掺磷硅单晶生长研究,生长出了4英寸<111>晶向、电阻率1.0×10-3～1.8×10-3Ω·cm的重掺磷硅单晶.对重掺磷硅单晶的磷掺杂和电阻率控制技术及住错与微缺陷的产生机理进行了探讨.
在國產TDR-62硅單晶爐上,採用10英吋和12英吋熱繫統開展瞭重摻燐硅單晶生長研究,生長齣瞭4英吋<111>晶嚮、電阻率1.0×10-3～1.8×10-3Ω·cm的重摻燐硅單晶.對重摻燐硅單晶的燐摻雜和電阻率控製技術及住錯與微缺陷的產生機理進行瞭探討.
재국산TDR-62규단정로상,채용10영촌화12영촌열계통개전료중참린규단정생장연구,생장출료4영촌<111>정향、전조솔1.0×10-3～1.8×10-3Ω·cm적중참린규단정.대중참린규단정적린참잡화전조솔공제기술급주착여미결함적산생궤리진행료탐토.
