浙江工业大学学报
浙江工業大學學報
절강공업대학학보
Journal of Zhejiang University of Technology
2011年
1期
97-100
,共4页
pH值传感芯片%氮化硅%灵敏度
pH值傳感芯片%氮化硅%靈敏度
pH치전감심편%담화규%령민도
基于标准0.6μm CMOS 工艺设计了单片集成 pH 值传感芯片,传感单元 MOS 管采用多层悬浮栅结构,氮化硅钝化层作为氢离子敏感层.片上信号处理电路恒定传感单元 MOS 管的源漏电压和源漏电流,控制传感单元输出电压与溶液 pH 值呈线性关系.传感芯片采用离子敏传感单元和参考单元的差分拓扑结构,减少电路的固定模式噪声.pH 值传感芯片经实测在 pH 值1～13范围内的平均灵敏度为35.8 mV/pH.
基于標準0.6μm CMOS 工藝設計瞭單片集成 pH 值傳感芯片,傳感單元 MOS 管採用多層懸浮柵結構,氮化硅鈍化層作為氫離子敏感層.片上信號處理電路恆定傳感單元 MOS 管的源漏電壓和源漏電流,控製傳感單元輸齣電壓與溶液 pH 值呈線性關繫.傳感芯片採用離子敏傳感單元和參攷單元的差分拓撲結構,減少電路的固定模式譟聲.pH 值傳感芯片經實測在 pH 值1～13範圍內的平均靈敏度為35.8 mV/pH.
기우표준0.6μm CMOS 공예설계료단편집성 pH 치전감심편,전감단원 MOS 관채용다층현부책결구,담화규둔화층작위경리자민감층.편상신호처리전로항정전감단원 MOS 관적원루전압화원루전류,공제전감단원수출전압여용액 pH 치정선성관계.전감심편채용리자민전감단원화삼고단원적차분탁복결구,감소전로적고정모식조성.pH 치전감심편경실측재 pH 치1～13범위내적평균령민도위35.8 mV/pH.
